[實用新型]一種整面反射鏡的垂直結構LED芯片

有效

• 申請號: 202020458084.4
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN212161845U
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 李國強
• 申請（專利權）人: 河源市眾拓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259
• 代理人: 李勤輝

本實用新型公開了一種整面反射鏡的垂直結構LED芯片，結構包括：n電極、外延層、絕緣層、反射金屬層、保護層金屬、鍵合層金屬和支撐導電基板。具體的，鍵合層金屬頂部設有第一凸起，保護層金屬包括第一凹槽和第二凸起，反射金屬層包括第二凹槽和第三凸起，絕緣層安裝于所述第三凸起外側，外延層安裝于絕緣層和反射金屬層上；通過在反射金屬層第三凸起的外側設置有絕緣層，能夠有效阻止金屬離子遷移到LED芯片側面，同時，由于采取了絕緣層去阻擋反射金屬層的金屬離子遷移，所以就不需要將反射金屬層內縮，這樣反射金屬層的反射面積就會比現有的垂直結構LED芯片的反射面積要大，從而有效提高了LED芯片亮度。

技術領域

本實用新型涉及LED技術領域，特別地是一種整面反射鏡的垂直結構 LED芯片。

背景技術

目前發光二極管(Light Emitting Diode，LED)已廣泛用于室內外照明，室外照明、車燈以及手持照明等應用領域。發光二極管(Light Emitting Diode， LED)是靠PN結把電能轉換成光能的一種器件，具有可控性好，啟動快，壽命長，發光效率高，安全，節能環保等優點，被稱為綠色光源，第四代光源。不僅帶動照明產業的深刻變革，同時還引領著顯示屏領域的創新。隨著LED 產業的發展，大功率LED越來越受到人們的青睞。而大功率LED中，垂直結構LED芯片以其可通大電流和出光方向好而受各到市場青睞。

但是現有的垂直結構LED芯片存在以下缺點：(1)垂直結構LED芯片的反射鏡主要使用Ag，而Ag由于本身性質活潑，容易遷移到LED芯片側面，側面有PN結，所以金屬離子遷移到這里，就會形成短路漏電，造成芯片失效； (2)現有的垂直結構LED芯片會使用反射率低的金屬覆蓋反射鏡，從而實現保護Ag，但Ag邊緣低反射率的保護金屬吸光嚴重，而且還需要將反射金屬的面積內縮，使其小于GaN面積，導致反射率低。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種整面反射鏡的垂直結構LED芯片及其制備方法，解決了現有垂直結構LED芯片存在的容易漏電、反射率低的問題。

本實用新型通過以下技術方案實現的：

一種整面反射鏡的垂直結構LED芯片，包括n電極、外延層、絕緣層、反射金屬層、保護層金屬、鍵合層金屬和支撐導電基板；其中，所述鍵合層金屬安裝在支撐導電基板上，所述鍵合層金屬頂部設有第一凸起，所述保護層金屬包括第一凹槽和第二凸起，所述第一凹槽與第一凸起相匹配，所述反射金屬層包括第二凹槽和第三凸起，所述第二凹槽與第二凸起相匹配，所述絕緣層安裝于所述第三凸起外側，所述外延層安裝于所述絕緣層和所述反射金屬層上，所述n電極安裝于外延層上。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述外延層為硅基或藍寶石或SiC襯底上生長的發光GaN層。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述絕緣層為SiO2，所述絕緣層厚度100nm-10000nm。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述反射金屬層為NiAg疊層，所述反射金屬層厚度為100nm-1000nm。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述保護層金屬為Ti、TiW、Pt、Ni、Cr和Au的多金屬疊層，所述保護層金屬厚度在 100nm-5000nm。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述鍵合層金屬為Ni和Sn的疊層或共晶合金，所述鍵合層金屬厚度在100nm-5000nm。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述支撐導電基板為單晶硅或多晶硅，所述支撐導電基板厚度在50um-400um。

作為所述整面反射鏡的垂直結構LED芯片的進一步可選方案，所述n電極為Cr、Ti、Al、Ni、Au和Pt中的一種或多種金屬的疊層，所述n電極厚度在0.5um-10um。