[實用新型]一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020458084.4
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN212161845U
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李國強
• 申請（專利權(quán)）人: 河源市眾拓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州凱東知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44259
• 代理人: 李勤輝

1.一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，一種整面發(fā)射的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，包括n電極(7)、外延層(6)、絕緣層(5)、反射金屬層(4)、保護層金屬(3)、鍵合層金屬(2)和支撐導(dǎo)電基板(1)；其中，所述鍵合層金屬(2)安裝在支撐導(dǎo)電基板(1)上，所述鍵合層金屬(2)頂部設(shè)有第一凸起(21)，所述保護層金屬(3)包括第一凹槽(31)和第二凸起(32)，所述第一凹槽(31)與第一凸起(21)相匹配，所述反射金屬層(4)包括第二凹槽(41)和第三凸起(42)，所述第二凹槽(41)與第二凸起(32)相匹配，所述絕緣層(5)安裝于所述第三凸起(42)外側(cè)，所述外延層(6)安裝于所述絕緣層(5)和所述反射金屬層(4)上，所述n電極(7)安裝于外延層(6)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述外延層(6)為硅基或藍寶石或SiC襯底上生長的發(fā)光GaN層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述絕緣層(5)為SiO2，所述絕緣層(5)厚度100nm-10000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述反射金屬層(4)為NiAg疊層，所述反射金屬層(4)厚度為100nm-1000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述保護層金屬(3)為Ti、TiW、Pt、Ni、Cr和Au的多金屬疊層，所述保護層金屬(3)厚度在100nm-5000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述鍵合層金屬(2)為Ni和Sn的疊層或共晶合金，所述鍵合層金屬(2)厚度在100nm-5000nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述支撐導(dǎo)電基板(1)為單晶硅或多晶硅，所述支撐導(dǎo)電基板(1)厚度在50um-400um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種整面反射鏡的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于：所述n電極(7)為Cr、Ti、Al、Ni、Au和Pt中的一種或多種金屬的疊層，所述n電極(7)厚度在0.5um-10um。