[實用新型]安全芯片和電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020455250.5
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN211929489U
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 陸斌;沈健
• 申請（專利權）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/552
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 孫濤;毛威

1.一種安全芯片，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片和第一光阻擋層；

所述第一芯片和所述第二芯片上下堆疊，且相互電連接；

所述第一光阻擋層靠近于所述第一芯片中的電路區(qū)域，且所述第一光阻擋層的面積不小于所述第一芯片中的電路區(qū)域的面積，所述第一光阻擋層用于將來自外部并朝向所述第一芯片中的電路區(qū)域照射的第一光信號進行全反射和/或散射。

2.根據權利要求1所述的安全芯片，其特征在于，所述第一芯片的厚度小于30μm；和/或，所述第二芯片的厚度小于30μm。

3.根據權利要求1所述的安全芯片，其特征在于，所述第一芯片的表面面積與所述第二芯片的表面面積不相等；

所述安全芯片還包括：載體，所述載體包括容置結構，所述容置結構為通孔或者凹槽；

所述第一芯片和所述第二芯片中表面面積較小的芯片設置在所述容置結構中，所述載體與所述第一芯片和所述第二芯片中表面面積較大的芯片上下對齊堆疊。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的安全芯片，其特征在于，所述安全芯片還包括：第一互聯(lián)層和第二互聯(lián)層，

所述第一互聯(lián)層和所述第二互聯(lián)層設置在所述第一芯片和所述第二芯片之間；

所述第一芯片和所述第二芯片通過所述第一互聯(lián)層和所述第二互聯(lián)層實現電連接。

5.根據權利要求4所述的安全芯片，其特征在于，所述第一互聯(lián)層的表面面積和所述第二互聯(lián)層的表面面積相等，所述第一芯片與所述第二芯片之間通過對所述第一互聯(lián)層和所述第二互聯(lián)層進行晶圓級鍵合形成電連接。

6.根據權利要求5所述的安全芯片，其特征在于，所述第一互聯(lián)層的表面形成有至少一個第一鍵合襯墊，所述第二互聯(lián)層的表面形成有至少一個第二鍵合襯墊；

所述至少一個第一鍵合襯墊和所述至少一個第二鍵合襯墊一一對應，所述至少一個第一鍵合襯墊中的一個第一鍵合襯墊鍵合至其對應的一個第二鍵合襯墊上形成電連接。

7.根據權利要求5所述的安全芯片，其特征在于，所述第一互聯(lián)層的表面面積和所述第二互聯(lián)層的表面面積均與所述第一芯片和所述第二芯片中表面面積較大的芯片的表面面積相等。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的安全芯片，其特征在于，所述第一光阻擋層包括：第一光疏介質層和第一光密介質層，所述第一光密介質層連接于所述第一光疏介質層；

其中，所述第一光密介質層用于接收所述第一光信號，并將所述第一光信號傳輸至所述第一光密介質層與所述第一光疏介質層之間的第一界面；

所述第一界面為粗糙度大于預設閾值的粗糙面，用于將來自外部并朝向所述第一芯片中的電路區(qū)域照射的所述第一光信號進行全反射和/或散射。

9.根據權利要求8所述的安全芯片，其特征在于，所述第一界面的粗糙度大于20nm。

10.根據權利要求8所述的安全芯片，其特征在于，所述第一界面上形成有尖刺狀結構或者孔狀結構，所述尖刺狀結構由金字塔形凸起或倒金字塔形凹坑形成。

11.根據權利要求8所述的安全芯片，其特征在于，所述第一光疏介質層連接于所述第一芯片的襯底表面。

12.根據權利要求11所述的安全芯片，其特征在于，所述第一界面的形態(tài)與所述第一芯片的襯底表面的形態(tài)基本一致。

13.根據權利要求11所述的安全芯片，其特征在于，所述第一界面的粗糙度大于所述第一芯片的襯底表面的粗糙度。