[實用新型]一種大尺寸硅片制絨承載裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020451050.2 | 申請日: | 2020-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN211929464U | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱軍;談錦彪;從海泉;苗勁飛;馬擎天 | 申請(專利權(quán))人: | 環(huán)晟光伏(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 214200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 尺寸 硅片 承載 裝置 | ||
1.一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,包括側(cè)桿組件和底桿組件,在所述側(cè)桿組件和所述底桿組件兩者中:
其中一者被繞設(shè)有第一齒槽,另一者被繞設(shè)有第二齒槽;
或兩者均被繞設(shè)有所述第一齒槽;
或均被繞設(shè)有所述第二齒槽;
所述第一齒槽和所述第二齒槽均沿所述側(cè)桿組件和所述底桿組件長度方向設(shè)置且均朝硅片軸線設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第一齒槽為相互獨立間斷設(shè)置的第一齒臺形成的通槽,所述第一齒臺側(cè)面為錐形結(jié)構(gòu)且所述錐形母線為弧線,所述第一齒臺根部厚度大于其頂部厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第一齒臺根部弧度所對應(yīng)的角度不小于30°。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第二齒槽為錯位且獨立設(shè)置的第二齒臺形成的通槽,所述第二齒臺側(cè)面為扇形結(jié)構(gòu),相鄰所述第二齒臺扇形弧面背向設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第二齒臺沿所述側(cè)桿組件或所述底桿組件的軸線向兩側(cè)設(shè)置;所述第二齒臺根部厚度大于其頂部厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第一齒臺間距與所述第二齒臺間距相同;所述第一齒臺高度和所述第二齒臺高度均大于所述第一齒臺間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述第一齒臺和所述第二齒臺均垂直設(shè)置在所述側(cè)桿組件或所述底桿組件軸線方向上。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-3、5-7任一項所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,還包括壓桿,所述壓桿軸向外壁被繞設(shè)有若干所述第一齒槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,還包括置于所述側(cè)桿組件和所述底桿組件兩端的端板組件,在所述端板組件上端面設(shè)有凹槽,所述凹槽與所述壓桿相適配。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種大尺寸硅片制絨承載裝置,其特征在于,所述端板組件兩端均設(shè)有若干通孔,且所述端板組件兩端設(shè)置的所述通孔數(shù)量不等。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





