[實(shí)用新型]DFN功率集成半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020444913.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211700244U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭興義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城芯豐微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 王健

本實(shí)用新型公開(kāi)一種DFN功率集成半導(dǎo)體器件，其芯片前后端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有金屬散熱片，所述芯片左右端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有左金屬散熱片和右金屬散熱片，此左金屬散熱片和右金屬散熱片分別開(kāi)有若干個(gè)供左引腳、右引腳嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分別與左引腳、右引腳之間通過(guò)環(huán)氧封裝體絕緣隔離；所述芯片的上表面通過(guò)導(dǎo)熱膠層貼合有一均熱板，此均熱板與芯片相背的表面具有若干個(gè)間隔設(shè)置的凸起部，此凸起部嵌入環(huán)氧封裝體內(nèi)。本實(shí)用新型DFN功率集成半導(dǎo)體器件增加了有效散熱面積，提高散熱效果，加快了散熱的速度，也防止環(huán)氧封裝體與芯片分層，從而阻止水汽進(jìn)入器件中。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種DFN功率集成半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

DFN是一種最新的電子封裝工藝.采用先進(jìn)的雙邊扁平無(wú)鉛封裝。DFN平臺(tái)是最新的表面貼裝封裝技術(shù)。印刷電路板的安裝墊、阻焊層和模板樣式設(shè)計(jì)以及組裝過(guò)程，都需要遵循相應(yīng)的原則。DFN 平臺(tái)具有多功能性，可以讓一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件在無(wú)鉛封裝內(nèi)連接。

現(xiàn)有的芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，其通過(guò)設(shè)置散熱區(qū)，然后通過(guò)散熱區(qū)將芯片上的熱量導(dǎo)出散熱。然而現(xiàn)有技術(shù)中散熱區(qū)主要通過(guò)與外界的環(huán)境接觸進(jìn)行散熱，但是其與外界接觸的面積有限，因此散熱性能較為一般。如何克服上述技術(shù)問(wèn)題成為本領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種DFN功率集成半導(dǎo)體器件，該DFN功率集成半導(dǎo)體器件增加了有效散熱面積，提高散熱效果，加快了散熱的速度，也防止環(huán)氧封裝體與芯片分層，從而阻止水汽進(jìn)入器件中。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種DFN功率集成半導(dǎo)體器件，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的芯片、一端與芯片電連接并分別位于芯片左右兩側(cè)的若干個(gè)左引腳、右引腳，所述左引腳、右引腳各自的另一端從環(huán)氧封裝體中延伸出，所述芯片前后端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有金屬散熱片，所述芯片左右端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有左金屬散熱片和右金屬散熱片，此左金屬散熱片和右金屬散熱片分別開(kāi)有若干個(gè)供左引腳、右引腳嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分別與左引腳、右引腳之間通過(guò)環(huán)氧封裝體絕緣隔離；所述芯片的上表面通過(guò)導(dǎo)熱膠層貼合有一均熱板，此均熱板與芯片相背的表面具有若干個(gè)間隔設(shè)置的凸起部，此凸起部嵌入環(huán)氧封裝體內(nèi)。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1. 上述方案中，所述金屬散熱片為鋁散熱片、銅散熱片或者鋁合金散熱片。

2. 上述方案中，所述左金屬散熱片和右金屬散熱片均為鋁散熱片、銅散熱片或者鋁合金散熱片。

3. 上述方案中，所述左引腳、右引腳各自的下端面略低于環(huán)氧封裝體的下表面。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1、本實(shí)用新型DFN功率集成半導(dǎo)體器件，其芯片前后端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有金屬散熱片，所述芯片左右端面均通過(guò)導(dǎo)熱膠層粘接有左金屬散熱片和右金屬散熱片，此左金屬散熱片和右金屬散熱片分別開(kāi)有若干個(gè)供左引腳、右引腳嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分別與左引腳、右引腳之間通過(guò)環(huán)氧封裝體絕緣隔離，增加了有效散熱面積，提高散熱效果，加快了散熱的速度，也提高了器件的強(qiáng)度和可靠性并延長(zhǎng)了芯片的使用壽命。

2、本實(shí)用新型DFN功率集成半導(dǎo)體器件，其其芯片的上表面通過(guò)導(dǎo)熱膠層貼合有一均熱板，此均熱板與芯片相背的表面具有若干個(gè)間隔設(shè)置的凸起部，此凸起部嵌入環(huán)氧封裝體內(nèi)，既增強(qiáng)了器件整體強(qiáng)度，也防止環(huán)氧封裝體與芯片分層，從而阻止水汽進(jìn)入器件中；還有，其左引腳、右引腳各自的下端面略低于環(huán)氧封裝體的下表面，從而在半導(dǎo)體器件與PCB電路板之間形成供氣流流動(dòng)的間隙，有利于熱量被迅速帶走。

附圖說(shuō)明

附圖1為本實(shí)用新型DFN功率集成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖；