[實用新型]DFN功率集成半導體器件

有效

• 申請號: 202020444913.3
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN211700244U
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 彭興義
• 申請（專利權）人: 鹽城芯豐微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 王健

1.一種DFN功率集成半導體器件，其特征在于：包括位于環氧封裝體（1）內的芯片（2）、一端與芯片（2）電連接并分別位于芯片（2）左右兩側的若干個左引腳（3）、右引腳（4），所述左引腳（3）、右引腳（4）各自的另一端從環氧封裝體（1）中延伸出，所述芯片（2）前后端面均通過導熱膠層（5）粘接有金屬散熱片（6），所述芯片（2）左右端面均通過導熱膠層（5）粘接有左金屬散熱片（7）和右金屬散熱片（8），此左金屬散熱片（7）和右金屬散熱片（8）分別開有若干個供左引腳（3）、右引腳（4）嵌入的左通孔（9）和右通孔（10），所述左通孔（9）、右通孔（10）分別與左引腳（3）、右引腳（4）之間通過環氧封裝體（1）絕緣隔離；所述芯片（2）的上表面通過導熱膠層（5）貼合有一均熱板（13），此均熱板（13）與芯片（2）相背的表面具有若干個間隔設置的凸起部（14），此凸起部（14）嵌入環氧封裝體（1）內。

2.根據權利要求1所述的DFN功率集成半導體器件，其特征在于：所述金屬散熱片（6）為鋁散熱片、銅散熱片或者鋁合金散熱片。

3.根據權利要求1所述的DFN功率集成半導體器件，其特征在于：所述左金屬散熱片（7）和右金屬散熱片（8）均為鋁散熱片、銅散熱片或者鋁合金散熱片。

4.根據權利要求1所述的DFN功率集成半導體器件，其特征在于：所述左引腳（3）、右引腳（4）各自的下端面略低于環氧封裝體（1）的下表面。