[實用新型]一種基于芬頓反應(yīng)的廢水處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020406633.3
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN212293089U
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 駱堅平;何曼妮;潘濤;郭行
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇瀧濤環(huán)境技術(shù)有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04
• 代理公司: 北京博訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11593
• 代理人: 劉馨月

本實用新型公開了一種基于芬頓反應(yīng)的廢水處理裝置，包括主體反應(yīng)區(qū)與凈水分離區(qū)，凈水分離區(qū)包括絮凝槽以及沉淀槽，絮凝槽設(shè)置在沉淀槽內(nèi)并靠上布置，絮凝槽開設(shè)有絮凝劑投放口，絮凝槽的入水口與主體反應(yīng)區(qū)的絮狀Fe(OH)₃中間水體排水口連通，絮凝槽的出水口與沉淀槽的內(nèi)腔連通，沉淀槽側(cè)壁開設(shè)有凈水口，沉淀槽的底部設(shè)置有排泥口。本實用新型的廢水處理裝置絮凝槽與沉淀槽一體設(shè)置，絮凝槽可以利用沉淀槽內(nèi)腔上部空間，絮凝槽轉(zhuǎn)移或排出等量混合物所需的容積較小，從而使得廢水處理裝置所需的土建容積或占地面積更小。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及污水處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于芬頓反應(yīng)的廢水處理裝置。

背景技術(shù)

高級氧化技術(shù)主要分為濕式氧化、二氧化氯催化氧化、臭氧氧化、雙氧水氧化和芬頓(Fenton)氧化等等。由于芬頓氧化只需要反應(yīng)床以及藥劑投加，反應(yīng)速度快，效果明顯，設(shè)備使用周期長且投資低等優(yōu)點，被廣泛的應(yīng)用于化工、制藥、皮革、印染等行業(yè)的污水預(yù)處理或深度處理。

現(xiàn)有基于芬頓反應(yīng)氧化技術(shù)的廢水處理裝置一般設(shè)置成至少三段式，其中就包括一段絮凝反應(yīng)的水槽和一段最后的沉淀分離出凈水的水槽，兩水槽沿水平方向鄰接，經(jīng)實際工程發(fā)現(xiàn)兩個水槽均存在容積浪費，由此導(dǎo)致整機所需的土建容積大或占地面積較大。

實用新型內(nèi)容

基于上述現(xiàn)狀，本實用新型的主要目的在于提供一種土建容積小或占地面積小的基于芬頓反應(yīng)的廢水處理裝置。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案如下：

一種基于芬頓反應(yīng)的廢水處理裝置，包括主體反應(yīng)區(qū)與凈水分離區(qū)，所述主體反應(yīng)區(qū)用于實現(xiàn)待處理水的芬頓氧化處理、加堿平衡pH值處理以及輸出包括絮狀Fe(OH)₃的中間水體，所述凈水分離區(qū)包括絮凝槽以及沉淀槽，所述絮凝槽設(shè)置在所述沉淀槽內(nèi)并靠上布置，所述絮凝槽開設(shè)有絮凝劑投放口，所述絮凝槽的入水口與所述主體反應(yīng)區(qū)的絮狀Fe(OH)₃中間水體排水口連通，所述絮凝槽的出水口與所述沉淀槽的內(nèi)腔連通，所述沉淀槽側(cè)壁開設(shè)有凈水口，所述沉淀槽的底部設(shè)置有排泥口。

優(yōu)選地，所述主體反應(yīng)區(qū)包括第一pH調(diào)節(jié)槽和氧化反應(yīng)槽，所述第一pH調(diào)節(jié)槽開設(shè)有進水口、硫酸供給口以及硫酸亞鐵供給口，所述氧化反應(yīng)槽與所述第一pH調(diào)節(jié)槽連通，所述氧化反應(yīng)槽開設(shè)有雙氧水供給口。

優(yōu)選地，所述第一pH調(diào)節(jié)槽的進水口、硫酸供給口以及硫酸亞鐵供給口均靠近所述第一pH調(diào)節(jié)槽的底部設(shè)置；所述第一pH調(diào)節(jié)槽的出水口遠離第一pH調(diào)節(jié)槽的底部設(shè)置。

優(yōu)選地，所述主體反應(yīng)區(qū)還包括第一布?xì)庋b置，所述第一布?xì)庋b置設(shè)于所述第一pH調(diào)節(jié)槽的底部。

優(yōu)選地，所述第一pH調(diào)節(jié)槽與氧化反應(yīng)槽共用一側(cè)壁，該側(cè)壁上開設(shè)有第一過流口，所述第一過流口遠離所述第一pH調(diào)節(jié)槽的底部設(shè)置。

優(yōu)選地，所述主體反應(yīng)區(qū)還包括第一pH計，所述第一pH計伸入所述第一pH調(diào)節(jié)槽并鄰近所述第一過流口設(shè)置。

優(yōu)選地，所述雙氧水供給口鄰近所述第一過流口設(shè)置。

優(yōu)選地，所述主體反應(yīng)區(qū)還包括第二布?xì)庋b置，所述第二布?xì)庋b置設(shè)于所述氧化反應(yīng)槽的底部。

優(yōu)選地，所述主體反應(yīng)區(qū)還包括第二pH調(diào)節(jié)槽，所述第二pH調(diào)節(jié)槽開設(shè)有堿藥供給口，所述第二pH調(diào)節(jié)槽分別與所述氧化反應(yīng)槽及絮凝槽連通。

優(yōu)選地，所述堿藥供給口鄰近所述第二pH調(diào)節(jié)槽的底部設(shè)置，所述主體反應(yīng)區(qū)還包括設(shè)置于第二pH調(diào)節(jié)槽底部的第三布?xì)庋b置。

優(yōu)選地，所述第二pH調(diào)節(jié)槽與所述氧化反應(yīng)槽共用一側(cè)壁，該側(cè)壁上開設(shè)有第二過流口，所述第二過流口遠離所述氧化反應(yīng)槽的底部設(shè)置。