[實用新型]陰極驅動單元和用于在基板上沉積材料的沉積設備

有效

• 申請號: 202020398864.4
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN212388105U
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 約阿希姆·索尼森;丹尼爾·謝弗·科皮托;托比亞斯·伯格曼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容提供一種可連接至陰極組件(190)的陰極驅動單元(100)和一種用于在基板上沉積材料的沉積設備(10)。陰極驅動單元(100)包括冷卻劑排放通道(150)。陰極驅動單元(100)包括第一密封件(110)。第一密封件(110)設置在冷卻劑排放通道(150)的第一側上。陰極驅動單元(100)包括第二密封件(120)。第二密封件(120)設置在冷卻劑排放通道(150)的第一側上。第一密封件(110)和第二密封件(120)設置在冷卻劑排放通道(150)的同一側上。陰極驅動單元(100)包括第三密封件(130)，第三密封件(130)位于冷卻劑排放通道(150)的第二側上。第二側與第一側相對。

技術領域

本文描述的實施方式涉及通過從靶濺射來進行的層沉積。特定而言，一些實施方式涉及在大面積基板上濺射層。具體而言，本文描述的實施方式涉及一種包括一個或多個陰極組件的濺射沉積設備。

背景技術

在許多應用中，需要在基板上沉積薄層。可在涂覆設備的一個或多個腔室中涂覆基板。可使用氣相沉積技術在真空中涂覆基板。

已知用于在基板上沉積材料的數種方法。例如，可通過物理氣相沉積(physicalvapor deposition；PVD)工藝、化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)工藝或等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)工藝等來涂覆基板。在待涂覆的基板所在的工藝設備或工藝腔室中執行這種工藝。在設備中提供沉積材料。可使用多種材料以及其氧化物、氮化物或碳化物進行基板上的沉積。涂覆材料可用于數種應用和數種技術領域中。例如，經常通過物理氣相沉積(PVD)工藝來涂覆用于顯示器的基板。進一步的應用包括絕緣面板、有機發光二極管(organic light emittingdiode；OLED)面板、具有薄膜晶體管(thin film transistors；TFT)的基板、濾色器或類似者。

對于PVD工藝，沉積材料可以固相存在于靶中。通過利用高能顆粒轟擊靶，靶材的原子(即，待沉積的材料)從靶射出。將靶材的原子沉積在待涂覆的基板上。在PVD工藝中，可以不同方式布置濺射材料，即待沉積在基板上的材料。例如，靶可由待沉積的材料制成，或者可具有背襯元件，待沉積的材料固定在此背襯元件上。將包括待沉積材料的靶支撐或固定在沉積腔室中的預定位置中。在使用可旋轉靶的情況下，將靶連接至旋轉軸或連接軸和靶的連接元件。

可使用分段平面、整體式平面和可旋轉靶進行濺射。由于陰極的幾何形狀和設計，與平面靶相比，可旋轉靶通常具有較高利用率和增加的操作時間。使用可旋轉靶可延長使用壽命和降低成本。

濺射可實施為磁控濺射，其中使用磁體組件限制等離子體以改善濺射條件。等離子體限制可用于調節待沉積在基板上的材料的顆粒分布。

在諸如濺射工藝之類的沉積工藝期間，用于涂覆基板的靶被加熱。為了防止靶的溫度升高過多，可在靶的操作期間冷卻靶。可使用諸如冷卻水之類的液體冷卻劑來冷卻靶。為了確保冷卻劑留在沉積設備的指定冷卻回路內，可提供密封布置，從而防止冷卻劑滲透至設備的其他部件中。然而，密封布置可能無法總是適當工作，使得可發生冷卻劑的泄漏。泄漏可對沉積設備造成損壞，包括例如腐蝕或短路。因此，需要一種改進的用于沉積設備的密封布置。

實用新型內容

根據一實施方式，提供一種可連接至陰極組件的陰極驅動單元。陰極驅動單元包括冷卻劑排放通道。陰極驅動單元包括第一密封件。將第一密封件設置在冷卻劑排放通道的第一側上。陰極驅動單元包括第二密封件。將第二密封件設置在冷卻劑排放通道的第一側上。陰極驅動單元包括第三密封件，第三密封件位于冷卻劑排放通道的第二側上。第二側與第一側相對。

根據一實施方式，第一密封件、第二密封件和第三密封件為環形密封件。

根據一實施方式，第一密封件、第二密封件和第三密封件為實質上同心的密封件。