[實用新型]可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃

有效

• 申請號: 202020356546.1
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN212713273U
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 曾小綿;白振中
• 申請（專利權）人: 湖南旗濱節能玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 謝閱

本實用新型公開了一種可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃包括依次設置的玻璃、底層電介質組合層、中間電介質組合層、頂層電介質組合層，其中，中間電介質組合層和底層電介質組合層之間以及中間電介質組合層和頂層電介質組合層之間分別設置有阻擋結構，所述阻擋結構包括依次設置的第一阻擋層、細晶銀層、第二阻擋層，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層分別與所述細晶銀層形成銀鎳合金層。本實用新型中，通過優化玻璃設置及其厚度解決了傳統雙銀低輻射玻璃必須除膜的技術問題。

技術領域

本實用新型涉及玻璃技術領域，特別涉及一種可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃。

背景技術

傳統的雙銀低輻射玻璃，在電介質層材料的組合使用上沒有經過精心的挑選和特殊膜層的設計，膜層疏松致密隨意使用、膜層折射率隨意組合，導致產品在阻擋層與銀層連接處沒有形成AgNi合金層，即AgNi-Ag-AgNi組合層，不能滿足不除膜。

實用新型內容

本實用新型的主要目的是提出一種可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃，旨在解決傳統雙銀低輻射玻璃必須除膜的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型提出一種可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃，所述可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃包括依次設置的玻璃、底層電介質組合層、中間電介質組合層、頂層電介質組合層，其中，中間電介質組合層和底層電介質組合層之間以及中間電介質組合層和頂層電介質組合層之間分別設置有阻擋結構，所述阻擋結構包括依次設置的第一阻擋層、細晶銀層、第二阻擋層，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層分別與所述細晶銀層形成銀鎳合金層。

可選地，所述可鋼化不除膜雙銀低輻射玻璃還包括氧化物耐磨層，所述氧化物耐磨層設于所述頂層電介質組合層的上部。

可選地，所述底層電介質組合層的數量至少為一層，所述底層電介質組合層的膜層結構包括依次設置的低折射率透明電介質材料層和高折射率透明電介質材料層；和/或，

所述中間電介質組合層數量至少為一層，所述中間電介質組合的膜層結構包括依次設置的低折射率透明電介質材料層、高折射率透明電介質材料層、低折射率透明電介質材料層及高折射率透明電介質材料層；和/或，

所述頂層電介質組合層數量至少為一層，所述頂層電介質組合層的膜層結構包括依次設置的高折射率透明電介質材料層和低折射率透明電介質材料層。

可選地，所述低折射率透明電介質材料層的材料為SiNx、SiBNx、SiBOx中的一種或其組合。

可選地，所述高折射率透明電介質材料層的材料為SiZrNx、ZrOx中的一種或其組合。

可選地，所述底層電介質組合層、所述中間電介質組合層及所述頂層電介質組合層的材料為SiNx、SiZrNx、SiBNx中的一種或其組合；和/或，

所述底層電介質組合層、所述中間電介質組合層及所述頂層電介質組合層通過中頻電源加旋轉陰極濺射沉積形成。

可選地，所述底層電介質組合層、所述中間電介質組合層及所述頂層電介質組合層的材料為ZrOx、SiBOx中的一種或其組合；和/或，

所述底層電介質組合層、所述中間電介質組合層及所述頂層電介質組合層通過中頻電源加旋轉陰極濺射沉積形成。

可選地，所述低折射率透明電介質材料的折射率范圍為1.0～1.9；和/或，所述高折射率透明電介質材料的折射率范圍為2.0～2.5。

可選地，所述底層電介質組合層的厚度為28～45nm；和/或，

所述中間電介質組合層的厚度為67～85nm；和/或，

所述頂層電介質組合層的厚度為30～45nm；和/或，

所述細晶銀層的厚度大于6nm；和/或，