[實用新型]晶圓清潔裝置有效
| 申請號: | 202020326098.0 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN211605107U | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 陳國良;劉孟勇 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;楊思雨 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 裝置 | ||
本申請公開了一種晶圓清潔裝置,該晶圓清潔裝置包括:清洗室,用于容納超聲波傳遞介質;超聲波發生器,用于提供超聲波,使得超聲波傳遞介質在超聲波的作用下振動;以及晶圓放置機構,位于清洗室內,用于將晶圓定位于所述超聲波傳遞介質內。該晶圓清潔裝置通過將將晶圓定位于超聲波傳遞介質內,使得晶圓的表面可以完全與超聲波傳遞介質接觸,并通過超聲波使得超聲波傳遞介質振動,從而達到了清潔晶圓表面的作用,并且在提高清潔效率與清潔強度的同時不會損傷晶圓的表面。
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,更具體地,涉及一種晶圓清潔裝置。
背景技術
存儲器件的存儲密度的提高與半導體制造工藝的進步密切相關。隨著半導體制造工藝的特征尺寸越來越小,存儲器件的存儲密度越來越高。為了進一步提高存儲密度,已經開發出三維結構的存儲器件(即,3D存儲器件)。3D存儲器件包括沿著垂直方向堆疊的多個存儲單元,在單位面積的晶片上可以成倍地提高集成度,并且可以降低成本。
晶圓直接鍵合技術是在不使用粘結劑的情況下將兩塊經過拋光的晶圓緊密結合在一起的一種技術。該技術廣泛應用于多功能芯片集成,微電子制造和微機電系統封裝等新興領域中,特別是近些年來在3D儲存芯片制造過程中的應用極大的推動了3D儲存器件技術的快速發展。
在晶圓鍵合技術對于晶圓表面的清潔度與平整度有著極高的要求,因此,如果在清潔晶圓表面時不能去除顆粒或者在清潔過程中損傷了晶圓表面,都會影響晶圓的鍵合效果。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種改進的晶圓清潔裝置,不僅增強對晶圓的清潔效果,還可以避免損傷晶圓。
本實用新型實施例提供了一種晶圓清潔裝置,包括:清洗室,用于容納超聲波傳遞介質;超聲波發生器,用于提供超聲波,使得所述超聲波傳遞介質在超聲波的作用下振動;以及晶圓放置機構,位于所述清洗室內,用于將晶圓定位于所述超聲波傳遞介質內。
優選地,所述晶圓放置機構配置為至少能支撐一個晶圓的邊緣。
優選地,所述晶圓放置機構包括至少一個支撐部,所述至少一個支撐部在重力方向上依次固定相連,每個所述支撐部用于支撐相應的一個所述晶圓的邊緣。
優選地,每個所述支撐部包括至少2個支持件,每個所述支持件的支撐面用于支撐相應的晶圓的邊緣,且每個所述支持件的支撐面整體上沿著與重力方向呈銳角的方向延伸。
優選地,所述支撐面為弧面、平面、階梯狀表面、波浪狀表面、鋸齒狀表面或不規則凹凸狀表面。
優選地,還包括調節機構,與所述晶圓放置機構連接,用于所述支撐部所圍成的圓周半徑。
優選地,每個所述支撐部包括弧狀支持件,所述弧狀支持件的支撐面用于支撐相應的晶圓的邊緣,且每個所述弧狀支持件的支撐面整體上沿著與重力方向呈銳角的方向延伸。
優選地,所述弧狀支持件的所述支撐面為弧面、平面、階梯狀表面、波浪狀表面、鋸齒狀表面或不規則凹凸狀表面。
優選地,所述超聲波傳遞介質包括去離子水或有機溶劑。
優選地,還包括:干燥室,用于容納惰性氣體;以及晶圓承載機構,位于所述干燥室內。
優選地,所述晶圓承載機構包括與用于和晶圓接觸的可旋轉部件,所述可旋轉部件的旋轉軸線與所述晶圓的表面垂直并經過所述晶圓的中心/重心。
根據本實用新型實施例的晶圓清潔裝置,通過位于清洗室內的晶圓放置機構將晶圓定位于超聲波傳遞介質內,使得晶圓的表面可以完全與超聲波傳遞介質接觸,并通過超聲波使得超聲波傳遞介質振動,從而達到了清潔晶圓表面的作用。與現有技術相比,本申請的晶圓清潔裝置可以使得晶圓表面與超聲波傳遞介質充分且均勻地接觸,提高了對晶圓表面的清潔效率與并增強了對晶圓表面的去污能力,并且不會損傷晶圓的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





