[實用新型]一種薄膜制備設備

有效

• 申請號: 202020324905.5
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN211897090U
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 吳歷清;籍龍占;張曉嵐;謝丑相;王國昌
• 申請（專利權）人: 杭州朗旭新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊華

本實用新型提供了一種薄膜制備設備，鍍膜室包括n個間隔排列的陰極靶、n個濺射電源、與陰極靶相對設置的基座、將每個陰極靶的鍍膜區等分成n個沉積區的分區裝置、控制裝置，控制裝置根據待制備薄膜n行m列個單元的膜厚數據、n個陰極靶的n個沉積區的沉積速率數據，計算出n個陰極靶在m個時間段的濺射功率，并根據計算結果控制對應的濺射電源具有相應的濺射功率，從而可以使得待制備薄膜的n行m列個單元中不同的單元具有不同的膜厚，進而可以根據實際情況靈活高效地制備n、m不同即膜厚分布不同的薄膜。

技術領域

本實用新型涉及薄膜制造技術領域，更具體地說，涉及一種薄膜制備設備。

背景技術

薄膜均勻性是薄膜制備設備如磁控濺射設備的一項重要指標，即要求靶材原子均勻的排布在基片表面，使得基片各個區域的薄膜厚度一致。但是，也有特殊領域需要制備非均勻薄膜，即要求靶材原子在基片表面按照設計好的膜層厚度不均勻分布，以實現不同的效果或性能。比如，通過不同的膜厚分布使得薄膜呈現出不同的色彩，通過不同的膜厚分布使得薄膜的電學性能排布不一致，通過不同的膜厚分布使得薄膜具有特殊的遮光效果。

雖然現有技術中可以通過在濺射靶位前方加遮擋板或遮擋條的方式以及在基片表面覆蓋掩膜板的方式實現非均勻薄膜的制備，但是，當制備的非均勻薄膜的膜厚分布發生變化時，需更改遮擋板或遮擋條的排布，或者，制作新的掩膜板，導致薄膜制備設備在制備不同膜厚分布的薄膜時工作效率較低，靈活度較差。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種薄膜制備設備，以便高效靈活的制備多種具有不同膜厚分布的薄膜。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種薄膜制備設備，包括至少一個鍍膜室，所述鍍膜室包括：

n個間隔排列的陰極靶，n個濺射電源，每個所述濺射電源與一個所述陰極靶對應設置；

與所述陰極靶相對設置的基座，所述基座用于承載待制備薄膜的基片，并帶動所述基片沿所述陰極靶的排列方向移動，以通過n個所述陰極靶在所述基片表面形成n層薄膜；

分區裝置，設置在所述陰極靶處或設置在所述基片處，用于將每個所述陰極靶的鍍膜區等分成n個沉積區，其中，所述n個沉積區的排列方向與所述陰極靶的排列方向垂直，并且，不同的所述沉積區的薄膜沉積速率不同，以使每層薄膜都包括n個膜厚不同的區域；

控制裝置，與所述n個濺射電源相連，用于根據所述待制備薄膜n行m列個單元的膜厚數據、n個所述陰極靶的n個沉積區的薄膜沉積速率數據，計算出n個所述陰極靶在m個時間段的濺射功率，并根據計算結果控制對應的所述濺射電源具有相應的濺射功率，以使所述待制備薄膜的n行m列個單元中不同的單元具有不同的膜厚；

其中，n、m均為大于或等于1的整數。

可選地，所述控制裝置還用于建立第一矩陣T、第二矩陣D和第三矩陣P，所述第一矩陣T包括所述待制備薄膜n行m列個單元的膜厚數據，所述第二矩陣D包括n個所述陰極靶的n個沉積區的薄膜沉積速率數據，所述第三矩陣包括n個所述陰極靶在m個時間段的濺射功率，并根據公式T＝D*P計算出第三矩陣P。

可選地，所述分區裝置包括n個遮擋板，所述n個遮擋板設置在所述陰極靶處，且所述n個遮擋板將所述鍍膜區等分成n個沉積區。

可選地，所述分區裝置包括掩膜板，所述掩膜板具有n個鏤空區域，所述n個鏤空區域將所述鍍膜區等分成n個沉積區。

可選地，所述薄膜制備設備還包括設置在所述至少一個鍍膜室進口處的進片室和設置在所述至少一個鍍膜室出口處的出片室，以通過所述進片室將所述基片傳輸至所述鍍膜室，通過所述出片室將所述鍍膜室內的基片傳出。