[實用新型]一種薄膜制備設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020324905.5
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN211897090U
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳歷清;籍龍占;張曉嵐;謝丑相;王國昌
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州朗旭新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊華

1.一種薄膜制備設(shè)備，其特征在于，包括至少一個鍍膜室，所述鍍膜室包括：

n個間隔排列的陰極靶，n個濺射電源，每個所述濺射電源與一個所述陰極靶對應(yīng)設(shè)置；

與所述陰極靶相對設(shè)置的基座，所述基座用于承載待制備薄膜的基片，并帶動所述基片沿所述陰極靶的排列方向移動，以通過n個所述陰極靶在所述基片表面形成n層薄膜；

分區(qū)裝置，設(shè)置在所述陰極靶處或設(shè)置在所述基片處，用于將每個所述陰極靶的鍍膜區(qū)等分成n個沉積區(qū)，其中，所述n個沉積區(qū)的排列方向與所述陰極靶的排列方向垂直，并且，不同的所述沉積區(qū)的薄膜沉積速率不同，以使每層薄膜都包括n個膜厚不同的區(qū)域；

控制裝置，與所述n個濺射電源相連，用于根據(jù)所述待制備薄膜n行m列個單元的膜厚數(shù)據(jù)、n個所述陰極靶的n個沉積區(qū)的薄膜沉積速率數(shù)據(jù)，計算出n個所述陰極靶在m個時間段的濺射功率，并根據(jù)計算結(jié)果控制對應(yīng)的所述濺射電源具有相應(yīng)的濺射功率，以使所述待制備薄膜的n行m列個單元中不同的單元具有不同的膜厚；

其中，n、m均為大于或等于1的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置還用于建立第一矩陣T、第二矩陣D和第三矩陣P，所述第一矩陣T包括所述待制備薄膜n行m列個單元的膜厚數(shù)據(jù)，所述第二矩陣D包括n個所述陰極靶的n個沉積區(qū)的薄膜沉積速率數(shù)據(jù)，所述第三矩陣包括n個所述陰極靶在m個時間段的濺射功率，并根據(jù)公式T＝D*P計算出第三矩陣P。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述分區(qū)裝置包括n個遮擋板，所述n個遮擋板設(shè)置在所述陰極靶處，且所述n個遮擋板將所述鍍膜區(qū)等分成n個沉積區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述分區(qū)裝置包括掩膜板，所述掩膜板具有n個鏤空區(qū)域，所述n個鏤空區(qū)域?qū)⑺鲥兡^(qū)等分成n個沉積區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述薄膜制備設(shè)備還包括設(shè)置在所述至少一個鍍膜室進(jìn)口處的進(jìn)片室和設(shè)置在所述至少一個鍍膜室出口處的出片室，以通過所述進(jìn)片室將所述基片傳輸至所述鍍膜室，通過所述出片室將所述鍍膜室內(nèi)的基片傳出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述薄膜制備設(shè)備還包括依次設(shè)置在所述進(jìn)片室和所述至少一個鍍膜室之間的第一緩沖室和第一過渡室，以及，依次設(shè)置在所述至少一個鍍膜室和所述出片室之間的第二過渡室和第二緩沖室。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述濺射電源包括中頻電源、直流電源、直流脈沖電源或者射頻電源的一種或幾種的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，n個所述陰極靶沿直線間隔排列，所述基座的形狀為條狀，且所述條狀的基座與所述n個所述陰極靶平行排列；

或者，n個所述陰極靶沿圓形線間隔排列，所述基座的形狀為環(huán)形，且所述環(huán)形的基座與所述n個所述陰極靶平行排列。