[實(shí)用新型]薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020281615.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN212182336U
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宋郊;晏國(guó)文;胡銳欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳柔宇顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

本實(shí)用新型公開了一種薄膜晶體管，包括有源層、源極及漏極，源極與漏極間隔設(shè)置并與有源層電性連接，有源層包括設(shè)置于源極與漏極之間的第一溝道結(jié)構(gòu)，第一溝道結(jié)構(gòu)包括第一側(cè)及與第一側(cè)相對(duì)設(shè)置的第二側(cè)，自源極朝向漏極延伸的第一方向垂直于自第一側(cè)朝向第二側(cè)延伸的第二方向，第一溝道結(jié)構(gòu)在第一側(cè)與第二側(cè)之間的延伸長(zhǎng)度大于第一側(cè)與第二側(cè)之間的直線距離。如此，增加了溝道寬度，顯示裝置能夠獲得更大的驅(qū)動(dòng)電流。并且，減少薄膜晶體管在顯示裝置中所占的尺寸，提升顯示性能。本申請(qǐng)還提供一種包括上述薄膜晶體管的陣列基板及顯示裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(0rganic Light-Emitting Diode，OLED)具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、電視等。

在TFT-OLED的顯示器件中，OLED依靠電流驅(qū)動(dòng)，為了獲得足夠大的驅(qū)動(dòng)電流，通常采用增大薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)尺寸的辦法，但是如此，會(huì)降低顯示器的分辨率。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決前述問題，本實(shí)用新型提供一種能夠提升顯示性能的薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管，包括有源層、源極及漏極，所述源極與所述漏極間隔設(shè)置并與所述有源層電性連接，所述有源層包括設(shè)置于所述源極與所述漏極之間的第一溝道結(jié)構(gòu)，所述第一溝道結(jié)構(gòu)包括第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對(duì)設(shè)置的第二側(cè)，自所述源極朝向所述漏極延伸的第一方向垂直于自所述第一側(cè)朝向所述第二側(cè)延伸的第二方向，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的延伸長(zhǎng)度大于所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的直線距離。

在一實(shí)施方式中，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間包括曲面，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的延伸長(zhǎng)度包括曲面的弧長(zhǎng)。

在一實(shí)施方式中，所述第二方向垂直于所述薄膜晶體管的厚度方向。

在一實(shí)施方式中，所述第一溝道結(jié)構(gòu)沿所述薄膜晶體管的厚度方向延伸。

在一實(shí)施方式中，所述有源層還包括連接所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)，所述第二溝道結(jié)構(gòu)將所述第一溝道結(jié)構(gòu)連接于所述源極及所述漏極。

在一實(shí)施方式中，所述第二溝道結(jié)構(gòu)垂直于所述第一溝道結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施方式中，還包括緩沖層，所述有源層覆蓋于所述緩沖層，所述緩沖層上開設(shè)一凹槽，所述第一溝道結(jié)構(gòu)容納于所述凹槽內(nèi)。

在一實(shí)施方式中，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向的長(zhǎng)度大于所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第一側(cè)與第二側(cè)之間的直線距離。

在一實(shí)施方式中，所述凹槽包括底壁及由所述底壁的邊緣朝向所述有源層一側(cè)彎折延伸而成的曲面壁，所述第一溝道結(jié)構(gòu)覆蓋所述曲面壁。

在一實(shí)施方式中，所述凹槽還包括第一側(cè)壁及第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁及所述第二側(cè)壁均由所述底壁的邊緣朝向所述有源層的一側(cè)彎折延伸形成，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，所述曲面壁連接于所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁之間。

在一實(shí)施方式中，所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第一側(cè)與第二側(cè)之間的直線距離比所述凹槽在所述第二方向的長(zhǎng)度小0.6um～1um。

在一實(shí)施方式中，其特征在于，所述緩沖層未開設(shè)凹槽的部分在所述薄膜晶體管的厚度方向上的厚度范圍為1um～25um。

在一實(shí)施方式中，其特征在于，所述凹槽在所述薄膜晶體管的厚度方向上的深度范圍為1um～20um。