[實(shí)用新型]薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020281615.7
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN212182336U
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宋郊;晏國文;胡銳欽
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳柔宇顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括有源層、源極及漏極，所述源極與所述漏極間隔設(shè)置并與所述有源層電性連接，所述有源層包括設(shè)置于所述源極與所述漏極之間的第一溝道結(jié)構(gòu)，所述第一溝道結(jié)構(gòu)包括第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對設(shè)置的第二側(cè)，自所述源極朝向所述漏極延伸的第一方向垂直于自所述第一側(cè)朝向所述第二側(cè)延伸的第二方向，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的延伸長度大于所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的直線距離。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間包括曲面，所述第一溝道結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的延伸長度包括曲面的弧長。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二方向垂直于所述薄膜晶體管的厚度方向。

4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一溝道結(jié)構(gòu)沿所述薄膜晶體管的厚度方向延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層還包括連接所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)，所述第二溝道結(jié)構(gòu)將所述第一溝道結(jié)構(gòu)連接于所述源極及所述漏極。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二溝道結(jié)構(gòu)垂直于所述第一溝道結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括緩沖層，所述有源層覆蓋于所述緩沖層，所述緩沖層上開設(shè)一凹槽，所述第一溝道結(jié)構(gòu)容納于所述凹槽內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向的長度大于所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第一側(cè)與第二側(cè)之間的直線距離。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽包括底壁及由所述底壁的邊緣朝向所述有源層一側(cè)彎折延伸而成的曲面壁，所述第一溝道結(jié)構(gòu)覆蓋所述曲面壁。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽還包括第一側(cè)壁及第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁及所述第二側(cè)壁均由所述底壁的邊緣朝向所述有源層的一側(cè)彎折延伸形成，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁相對設(shè)置，所述曲面壁連接于所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁之間。

11.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一溝道結(jié)構(gòu)的第一側(cè)與第二側(cè)之間的直線距離比所述凹槽在所述第二方向的長度小0.6um～1um。

12.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層未開設(shè)凹槽的部分在所述薄膜晶體管的厚度方向上的厚度范圍為1um～25um。

13.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽在所述薄膜晶體管的厚度方向上的深度范圍為1um～20um。

14.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底及多個(gè)如權(quán)利要求1至13任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，多個(gè)所述薄膜晶體管呈陣列式排布于所述襯底，所述襯底蓋設(shè)于所述有源層背離所述源極及漏極的一側(cè)。

15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求14所述的陣列基板。