[實(shí)用新型]一種激光摻雜PERC電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020277515.7 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN211062729U | 公開(公告)日: | 2020-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張薛丹;費(fèi)存勇;趙福祥;袁曉佳 | 申請(專利權(quán))人: | 韓華新能源(啟東)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 樊曉娜 |
| 地址: | 226200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 激光 摻雜 perc 電池 | ||
本實(shí)用新型公開一種激光摻雜PERC電池,包括晶體硅基體,電池結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在晶體硅基體上的多個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)、設(shè)置在主柵重?fù)诫s區(qū)上的主柵線、與主柵重?fù)诫s區(qū)垂直設(shè)置的多個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)及設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)上的細(xì)柵線;主柵重?fù)诫s區(qū)與細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)均通過激光摻雜形成,主柵重?fù)诫s區(qū)的外輪廓形狀與主柵線的外輪廓形狀相對應(yīng),主柵重?fù)诫s區(qū)的數(shù)目為小于或等于主柵線的數(shù)目,主柵重?fù)诫s區(qū)為點(diǎn)狀或長條形結(jié)構(gòu),主柵重?fù)诫s區(qū)的方阻范圍為30?120Ω。本實(shí)用新型提供的PERC電池,有利于主柵銀漿與硅基體的結(jié)合,降低銀硅合金的歐姆接觸,提高填充因子;同時(shí),促使主柵下的金屬復(fù)合幾率變小,提高開壓Voc,從而提升電池效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶體硅太陽能電池制造系統(tǒng)領(lǐng)域,尤其涉及一種激光摻雜PERC電池。
背景技術(shù)
太陽能光伏發(fā)電,由其清潔、安全、便利及高效等特點(diǎn),已成為全世界普遍關(guān)注和重點(diǎn)發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)。目前的太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,高效電池技術(shù)應(yīng)用不斷進(jìn)步,例如PERC等高效電池,其電池的轉(zhuǎn)換效率不斷的在提升,在不斷疊加技術(shù)當(dāng)中,其中之一可以利用激光進(jìn)行摻雜,制備選擇性發(fā)射電極(SE)電池。理想狀態(tài)下,未印刷金屬漿料區(qū)域(即沒有銀硅合金)的方塊電阻做高,提升太陽能電池片的開路電壓和短路電流,而印刷金屬漿料區(qū)域處的方塊電阻就做低(增加PN結(jié)的深度,增加表面的磷原子濃度),降低銀硅合金的接觸電阻,抑制太陽電池的填充因子進(jìn)一步降低,這樣就能有效提升太陽能電池的效率,這種對硅片表面的PN結(jié)深度和磷原子濃度。
有不同要求的工藝,即常說的選擇性發(fā)射極技術(shù),激光摻雜選擇性發(fā)射電極(SE)電池的原理,通過對晶體硅片進(jìn)行高方阻擴(kuò)散后,利用激光摻雜將PSG中的磷源往硅片里面推進(jìn),形成高濃度的重?fù)诫s區(qū),有利于歐姆接觸提高FF;而沒有激光摻雜的淺摻區(qū)相對濃度較低一點(diǎn),硅片內(nèi)形成梯度摻雜,拓寬P-N結(jié)區(qū)的寬度,提高開路電壓;同時(shí)淺結(jié)可以更好的吸收太陽光,淺結(jié)對應(yīng)的太陽光中的短波段光譜,此范圍內(nèi)的光譜中包含的光子數(shù)較多,可以獲得更好的藍(lán)波響應(yīng),從而提升短路電流Isc。
常規(guī)的激光摻雜制備選擇性發(fā)射電極(SE)電池,忽視了主柵區(qū)域金屬與晶體硅接觸時(shí)由于方塊電阻高而引起的歐姆接觸電阻大,填充因子FF值會損失的問題,從而使得電池效率有一定的損失。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本實(shí)用新型提供了一種激光摻雜PERC電池,以解決在常規(guī)的激光摻雜SE電池中,由于高方阻引起的主柵區(qū)域銀硅合金處的接觸電阻變大的問題,所述技術(shù)方案如下:
本實(shí)用新型提供一種激光摻雜PERC電池,包括晶體硅基體,所述電池結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在晶體硅基體上的多個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)、設(shè)置在主柵重?fù)诫s區(qū)上的主柵線、與所述主柵重?fù)诫s區(qū)垂直設(shè)置的多個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)及設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)上的細(xì)柵線,所述主柵重?fù)诫s區(qū)與主柵線平行設(shè)置,所述細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)與細(xì)柵線平行設(shè)置,每相鄰兩個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)設(shè)的間距,每相鄰兩個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)設(shè)的間距;所述主柵重?fù)诫s區(qū)的數(shù)目為小于或等于主柵線的數(shù)目,所述細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)的數(shù)目為小于或等于細(xì)柵線的數(shù)目;
所述主柵重?fù)诫s區(qū)與細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)均通過激光摻雜形成,所述主柵重?fù)诫s區(qū)的外輪廓形狀與主柵線的外輪廓形狀相對應(yīng),所述主柵重?fù)诫s區(qū)為點(diǎn)狀或長條形結(jié)構(gòu),所述主柵重?fù)诫s區(qū)的方阻范圍為30-120Ω,所述主柵重?fù)诫s區(qū)的寬度范圍設(shè)置為30um-150um。
進(jìn)一步地,所述主柵重?fù)诫s區(qū)為連續(xù)的長條形結(jié)構(gòu);或所述主柵重?fù)诫s區(qū)為間斷結(jié)構(gòu),其間隙的長度范圍設(shè)置為10-50mm。
進(jìn)一步地,所述主柵重?fù)诫s區(qū)為點(diǎn)狀結(jié)構(gòu),每個(gè)點(diǎn)的直徑范圍設(shè)置為30um-150um。
進(jìn)一步地,所述主柵重?fù)诫s區(qū)的寬度與細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)的寬度相等。
進(jìn)一步地,所述主柵重?fù)诫s區(qū)的長度范圍設(shè)置為100-210mm。
進(jìn)一步地,所述主柵重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





