[實(shí)用新型]一種激光摻雜PERC電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020277515.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211062729U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張薛丹;費(fèi)存勇;趙福祥;袁曉佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 樊曉娜

1.一種激光摻雜PERC電池，包括晶體硅基體(1)，其特征在于，所述電池結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在晶體硅基體(1)上的多個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)(2)、設(shè)置在主柵重?fù)诫s區(qū)(2)上的主柵線、與所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)垂直設(shè)置的多個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)及設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)上的細(xì)柵線，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)與主柵線平行設(shè)置，所述細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)與細(xì)柵線平行設(shè)置，每相鄰兩個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)(2)之間保持預(yù)設(shè)的間距，每相鄰兩個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)之間保持預(yù)設(shè)的間距；所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的數(shù)目為小于或等于主柵線的數(shù)目，所述細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)的數(shù)目為小于或等于細(xì)柵線的數(shù)目；

所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)與細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)均通過(guò)激光摻雜形成，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的外輪廓形狀與主柵線的外輪廓形狀相對(duì)應(yīng)，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)為點(diǎn)狀或長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的方阻范圍為30-120Ω，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的寬度范圍設(shè)置為30um-150um。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)為連續(xù)的長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)；或所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)為間斷結(jié)構(gòu)，其間隙的長(zhǎng)度范圍設(shè)置為10-50mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)為點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)點(diǎn)的直徑范圍設(shè)置為30um-150um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的寬度與細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)的寬度相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的長(zhǎng)度范圍設(shè)置為100-210mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)設(shè)置在細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，多個(gè)主柵重?fù)诫s區(qū)(2)等間距分布，多個(gè)細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)等間距分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述主柵重?fù)诫s區(qū)(2)的長(zhǎng)度大于或等于所述主柵線的長(zhǎng)度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光摻雜PERC電池，其特征在于，所述晶體硅基體(1)上表面由下向上依次設(shè)置有細(xì)柵重?fù)诫s區(qū)(3)、輕摻雜區(qū)(4)、上氮化硅層(5)與前表面金屬層(6)，所述晶體硅基體(1)的下表面由上向下依次設(shè)置有氧化鋁層、下氮化硅層(7)與背表面金屬層(8)，所述輕摻雜區(qū)(4)由擴(kuò)散形成；

所述氧化鋁層和下氮化硅層(7)上均具有激光開(kāi)槽(9)，所述背表面金屬層(8)與晶體硅基體(1)之間通過(guò)激光開(kāi)槽(9)形成線接觸。