[實(shí)用新型]一種存儲器可靠性測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020271990.3
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN211087930U
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳尚立
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市中科藍(lán)訊科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實(shí)用新型提供了一種存儲器可靠性測試裝置，包括控制器、電源模塊和測試工位，所述測試工位用于放置待測試芯片；所述電源模塊與待測試芯片和控制器連接，分別為控制器和待測試芯片供電；所述控制器分別與待測試芯片和電源模塊連接，控制電源模塊的測試電壓輸出以及待測試芯片的flash操作。該測試裝置能夠針對待測試芯片的flash模塊進(jìn)行多種電壓波形的測試，測試結(jié)果更全面、準(zhǔn)確。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，具體涉及一種存儲器可靠性測試裝置。

背景技術(shù)

隨著電子電路系統(tǒng)在日常生活的廣泛應(yīng)用，電子產(chǎn)品的使用壽命越來越被重視。芯片內(nèi)部是一個十分復(fù)雜的系統(tǒng)，其中內(nèi)置存儲器為十分重要的模塊，由于芯片的flash模塊保存著整個系統(tǒng)的核心數(shù)據(jù)，因此flash模塊的好壞直接影響整個芯片的品質(zhì)，如果flash模塊存在質(zhì)量問題，將會導(dǎo)致嚴(yán)重后果，比如死機(jī)，程序跑飛等情況。這個擔(dān)心是必要的，市面上就曾出現(xiàn)由于供電電壓不穩(wěn)定，flash模塊無法適應(yīng)電壓變化而導(dǎo)致flash程序丟失的情況。因此，高可靠性的flash存儲芯片對于設(shè)計公司提高企業(yè)競爭力和工業(yè)收益來說是至關(guān)重要的。

通常來說，芯片flash模塊的可靠性測試具有測試時間長、測試數(shù)量多的特點(diǎn)，測試過程中，其測試電壓通常局限于從某一特定電壓值變換成另一特定電壓值，且測試通道也較為有限，無法全面和大量地對flash存儲芯片進(jìn)行可靠性測試。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供了一種存儲器可靠性測試裝置，該測試裝置能夠針對待測試芯片的flash模塊進(jìn)行多種電壓波形的測試，測試結(jié)果更全面、準(zhǔn)確。

本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種存儲器可靠性測試裝置，包括控制器、電源模塊和測試工位，

所述測試工位用于放置待測試芯片；

所述電源模塊與待測試芯片和控制器連接，分別為控制器和待測試芯片供電；

所述控制器分別與待測試芯片和電源模塊連接，控制電源模塊的測試電壓輸出以及待測試芯片的flash操作。

具體的，所述測試電壓根據(jù)測試模式的不同而不同。

具體的，所述測試模式包括波動測試、陡升陡降測試、間歇性斷電測試。

具體的，所述波動測試下測試電壓為正弦波或/和三角波。

具體的，所述陡升陡降測試下測試電壓為方波。

具體的，所述間歇性斷電測試下測試電壓為斷續(xù)波。

具體的，所述測試工位具有多個。

具體的，所述測試裝置還包括顯示器，用于顯示待測試芯片的測試結(jié)果。

本實(shí)用新型通過電源模塊為待測試芯片提供不同測試模式下多種測試電壓，包括電壓波動測試、電壓陡升陡降測試和間歇性斷電測試，對待測試芯片的flash模塊進(jìn)行更加全面的測試，測試結(jié)果更加可靠。另外還增設(shè)了多個測試工位，可滿足大批量芯片的同時測試。

附圖說明

附圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一、二、三提供的存儲器可靠性測試裝置的電路模塊構(gòu)造圖。

附圖2A、2B、2C為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的波動測試下測試電壓的波形圖。

附圖3A、3B、3C為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的波動測試下另一種測試電壓的波形圖。

附圖4A、4B、4C為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的陡升陡降測試下測試電壓的波形圖。

附圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的間歇性斷電測試下測試電壓的波形圖。