[實用新型]一種MEMS傳感器封裝結構

有效

• 申請號: 202020264556.2
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN212559450U
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 柏楊
• 申請（專利權）人: 瑞聲聲學科技（深圳）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 鮑竹

本實用新型中提供一種MEMS傳感器封裝結構。本實用新型的MEMS傳感器封裝結構包括封裝殼體、與所述封裝殼體圍成收容空間的封裝基板、收容于所述收容空間內的MEMS芯片及與所述封裝基板固定的ASIC芯片，所述封裝結構還包括設置于所述封裝基板內部的導電體，所述MEMS芯片封裝在所述封裝基板朝向所述收容空間的一側，所述ASIC芯片固定在所述封裝基板上或所述封裝基板的內部，所述MEMS芯片與所述導電體的一端電連接，所述ASIC芯片與所述導電體的另一端電連接。通過將用于MEMS芯片與ASIC芯片之間電連接的導電體設置于封裝基板內部，可以防止MEMS傳感器內部的導電體在跌落振動等封裝場景時的脫落，保障MEMS傳感器內部的芯片與芯片之間信號傳輸。

【技術領域】

本實用新型涉及電聲轉換技術領域，尤其涉及一種MEMS傳感器封裝結構。

【背景技術】

MEMS傳感器是基于MEMS(微型機電系統)技術的發展的成果，其在應用領域上比較廣泛，例如MEMS麥克風；相對于其他類型的傳感器件， MEMS傳感器具有體積小、頻響特性好等優點。隨著電子設備領域的發展，對MEMS傳感器的尺寸、品質及成本也提出了更高的要求。

現有技術中，MEMS傳感器在生成制造中是通過綁線連接(wire bonding)的方式實現MEMS傳感器內部的電路連接，這種電路連接方式不僅限定MEMS傳感器的封裝高度，還會因為受到振動時導致MEMS傳感器內部的綁線容易脫落，這將會阻斷MEMS傳感器內部的信號傳輸。

【實用新型內容】

本實用新型的目的在于提供一種MEMS傳感器封裝結構，旨在解決 MEMS傳感器內部的綁線容易脫落的問題。

本實用新型的技術方案如下：

本實用新型提供一種MEMS傳感器封裝結構，包括封裝殼體、與所述封裝殼體圍成收容空間的封裝基板、收容于所述收容空間內的MEMS芯片及與所述封裝基板固定的ASIC芯片，所述封裝結構還包括設置于所述封裝基板內部的導電體，所述MEMS芯片封裝在所述封裝基板朝向所述收容空間的一側，所述ASIC芯片固定在所述封裝基板上或所述封裝基板的內部，所述MEMS芯片與所述導電體的一端電連接，所述ASIC芯片與所述導電體的另一端電連接。

優選地，所述導電體為金屬化通孔或導電線。

優選地，所述封裝基板為多層基板，所述多層基板至少包括：與所述封裝殼體相連接的封裝內基層、與所述封裝內基層相對間隔設置的封裝外基層、設置于所述封裝內基層與所述封裝外基層之間的封裝夾層；

所述金屬化通孔或所述導電線設置于所述封裝內基層，或所述封裝內基層與所述封裝夾層，所述MEMS芯片設置于所述封裝內基層朝向所述收容空間的一側，所述MEMS芯片與所述金屬化通孔或所述導電線的一端電連接。

優選的，所述ASIC芯片設置于與所述MEMS芯片同側的所述封裝內基層表面，所述ASIC芯片與所述金屬化通孔或所述導電線遠離所述MEMS 芯片的一端電連接。

優選的，所述ASIC芯片設置于所述封裝夾層內，所述ASIC芯片與所述金屬化通孔或所述導電線的另一端電連接。

優選的，所述ASIC芯片通過設置于所述封裝基板內的所述金屬化通孔及所述導電線與所述封裝基板的內部電路電連接。

本實用新型的有益效果在于：