[實用新型]一種MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020264556.2
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN212559450U
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柏楊
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲聲學(xué)科技（深圳）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312
• 代理人: 鮑竹

1.一種MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝殼體、與所述封裝殼體圍成收容空間的封裝基板、收容于所述收容空間內(nèi)的MEMS芯片及與所述封裝基板固定的ASIC芯片，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述封裝基板內(nèi)部的導(dǎo)電體，所述MEMS芯片封裝在所述封裝基板朝向所述收容空間的一側(cè)，所述ASIC芯片固定在所述封裝基板上或所述封裝基板的內(nèi)部，所述MEMS芯片與所述導(dǎo)電體的一端電連接，所述ASIC芯片與所述導(dǎo)電體的另一端電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電體為金屬化通孔或?qū)щ娋€。

3.如權(quán)利要求2所述的MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板為多層基板，所述多層基板至少包括：與所述封裝殼體相連接的封裝內(nèi)基層、與所述封裝內(nèi)基層相對間隔設(shè)置的封裝外基層、設(shè)置于所述封裝內(nèi)基層與所述封裝外基層之間的封裝夾層；

所述金屬化通孔或所述導(dǎo)電線設(shè)置于所述封裝內(nèi)基層，或所述封裝內(nèi)基層與所述封裝夾層，所述MEMS芯片設(shè)置于所述封裝內(nèi)基層朝向所述收容空間的一側(cè)，所述MEMS芯片與所述金屬化通孔或所述導(dǎo)電線的一端電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ASIC芯片設(shè)置于與所述MEMS芯片同側(cè)的所述封裝內(nèi)基層表面，所述ASIC芯片與所述金屬化通孔或所述導(dǎo)電線遠離所述MEMS芯片的一端電連接。

5.如權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ASIC芯片設(shè)置于所述封裝夾層內(nèi)，所述ASIC芯片與所述金屬化通孔或所述導(dǎo)電線的另一端電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ASIC芯片通過設(shè)置于所述封裝基板內(nèi)的所述金屬化通孔或所述導(dǎo)電線與所述封裝基板的內(nèi)部電路電連接。