[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體硅片清洗腔

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020235950.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211455668U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余濤;唐杰;樸靈緒;張霞;郭巍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 若名芯半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/687
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/687;H01L21/67;B08B3/02
• 代理公司: 蘇州銘浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32246
• 代理人: 朱斌兵

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體硅片清洗腔，包括：腔體，在所述腔體內(nèi)設(shè)有固定臺(tái)，在所述固定臺(tái)上設(shè)有角度可調(diào)的承載組件，用于承載半導(dǎo)體硅片；在所述承載組件的上方設(shè)有多個(gè)噴嘴，用于對(duì)承載組件上的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行清洗，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體硅片清洗腔，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，改進(jìn)成本低，其通過(guò)改變承載半導(dǎo)體硅片的承載組件與固定臺(tái)之間的角度，使半導(dǎo)體硅片在被噴嘴清洗的過(guò)程中一直處于傾斜狀態(tài)，避免清洗液在清洗過(guò)程中滯留在半導(dǎo)體硅片上，防止異物殘留在半導(dǎo)體硅片上造成二次污染，滿足了后續(xù)半導(dǎo)體硅片高精度清洗的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體清洗設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體硅片清洗腔。

背景技術(shù)

隨著集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體硅片的體積正變得越來(lái)越小， 這也導(dǎo)致了半導(dǎo)體硅片上非常微小的顆粒如果沒(méi)有清洗干凈，也會(huì)影響半導(dǎo)體硅片的制造和性能，所以半導(dǎo)體硅片的清洗工藝也變得越來(lái)越重要。

目前在對(duì)半導(dǎo)體硅片進(jìn)行清洗的過(guò)程中，如附圖1所示，其中用于承載半導(dǎo)體硅片的載具50是水平放置的，半導(dǎo)體硅片也是水平放置在載具上的，當(dāng)噴嘴將清洗液噴出對(duì)半導(dǎo)體硅片清洗時(shí)，由于半導(dǎo)體硅片一直處于水平的狀態(tài)，這樣清洗液在清洗時(shí)就會(huì)滯留在半導(dǎo)體硅片上，導(dǎo)致清洗的異物也會(huì)殘留在半導(dǎo)體硅片上，從而對(duì)半導(dǎo)體硅片造成二次污染，使清洗效果不能達(dá)到高精度的要求，給后續(xù)半導(dǎo)體硅片的清洗帶來(lái)了不利的因素。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能使半導(dǎo)體硅片在清洗過(guò)程中處于傾斜的狀態(tài)，避免清洗中產(chǎn)生的異物殘留在半導(dǎo)體硅片上造成二次污染的半導(dǎo)體硅片清洗腔。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體硅片清洗腔，包括：腔體，在所述腔體內(nèi)設(shè)有固定臺(tái)，在所述固定臺(tái)上設(shè)有角度可調(diào)的承載組件，用于承載半導(dǎo)體硅片；

在所述承載組件的上方設(shè)有多個(gè)噴嘴，用于對(duì)承載組件上的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行清洗。

進(jìn)一步的，硅片多個(gè)所述噴嘴分布在腔體的上方和兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述承載組件包括承載臺(tái)和位于承載臺(tái)上的多個(gè)第一定位PIN針；所述承載臺(tái)與固定臺(tái)之間為傾斜設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述承載臺(tái)與固定臺(tái)之間的角度為1°-10°。

進(jìn)一步的，所述承載組件包括承載臺(tái)和位于承載臺(tái)上的多個(gè)第二定位PIN針；多個(gè)所述第二定位PIN針的上端構(gòu)成的承載面與承載臺(tái)之間呈傾斜設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述承載面與承載臺(tái)之間的角度為1°-9°。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型方案的半導(dǎo)體硅片清洗腔，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，改進(jìn)成本低，其通過(guò)改變承載半導(dǎo)體硅片的承載組件與固定臺(tái)之間的角度，使半導(dǎo)體硅片在被噴嘴清洗的過(guò)程中一直處于傾斜狀態(tài)，避免清洗液在清洗過(guò)程中滯留在半導(dǎo)體硅片上，防止異物殘留在半導(dǎo)體硅片上造成二次污染，保障了后續(xù)半導(dǎo)體硅片高精度清洗的需求。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明：

附圖1為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為本實(shí)用新型中實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖3為本實(shí)用新型中實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中：腔體1、固定臺(tái)2、承載組件3、噴嘴4、半導(dǎo)體硅片5、承載臺(tái)30、第一定位PIN針31、第二定位PIN針32、載具50。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。