[實用新型]一種扇出型晶圓級封裝芯片有效
| 申請號: | 202020234916.4 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN211265466U | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 趙偉;齊耀威 | 申請(專利權)人: | 京微齊力(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司: | 北京億騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陳霽 |
| 地址: | 100190 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 扇出型晶圓級 封裝 芯片 | ||
1.一種扇出型晶圓級封裝芯片,其特征在于,包括:
重組晶圓,包括:硅基材,所述硅基材具有相對的第一表面和第二表面;以及,裝載于硅基材第一表面的至少四個芯片,各所述芯片具有相對的第三表面和第四表面,各所述芯片的IO接口位于所述第三表面上,所述至少四個芯片包括:至少一個FPGA芯片、至少一個配置Flash芯片、至少一個PSRAM芯片和至少一個SDRAM芯片;
重布線層,包括:層疊的第一聚合物薄膜層和第二聚合物薄膜層,以及,位于所述第一聚合物薄膜層中的第一金屬層,和位于所述第二聚合物薄膜層中的第二金屬層,其中,所述第一金屬層與所述第二金屬層電性連接,所述第一金屬層與所述各所述芯片的IO接口電性連接;和
焊球,所述焊球與所述第二金屬層電性連接。
2.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝芯片,其特征在于,所述硅基材的第一表面包括光刻凹槽,用于裝載所述芯片。
3.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝芯片,其特征在于,各所述芯片的第四表面與所述硅基材的第一表面通過DAF膜連接固定。
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