[實用新型]多功能納米真空蒸發(fā)源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020211269.5 | 申請日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN211689207U | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王寧 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州泓沵達儀器科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 許云峰 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多功能 納米 真空 蒸發(fā) | ||
1.一種多功能納米真空蒸發(fā)源,包括坩堝和加熱單元,其特征在于,所述加熱單元包括套設(shè)于所述坩堝外側(cè)面的加熱套體,所述加熱套體在靠近所述坩堝一側(cè)的側(cè)壁為加熱套體內(nèi)壁,所述加熱套體的遠離所述加熱套體內(nèi)壁的側(cè)壁為加熱套體外壁,在所述加熱套體內(nèi)壁與所述加熱套體外壁之間具有加熱套體空腔,在所述加熱套體內(nèi)壁的外表面設(shè)置有多個向所述加熱套體的中軸線凹陷的容納槽,在每個所述容納槽內(nèi)分別設(shè)置有至少一個加熱元件,所述坩堝為熱解氮化硼材質(zhì)的坩堝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,在所述加熱套體的外部還設(shè)置有冷卻套體,在所述冷卻套體內(nèi)設(shè)置有供冷媒流動的空腔,所述冷卻套體的上端設(shè)置有冷媒入口,在所述冷卻套體的下端設(shè)置有冷媒出口,在所述冷媒入口與所述冷媒出口分別通過管路外接于冷媒儲存裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,在所述加熱套體內(nèi)壁與所述加熱套體外壁之間還設(shè)置有至少一個導熱的金屬塊,所述金屬塊沿著所述坩堝的高度方向設(shè)置,所述金屬塊分別與所述加熱套體內(nèi)壁和所述加熱套體外壁相抵觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,還包括能與每個所述加熱元件相抵觸的限位塊,所述限位塊沿著所述加熱元件的長度方向設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,在每個所述限位塊上設(shè)置有至少一根限位彈簧,所述限位彈簧的一端與所述限位塊固定,另一端與所述加熱套體外壁的內(nèi)側(cè)面固定,在所述限位彈簧處于放松狀態(tài)時,所述限位塊與所述加熱元件相抵靠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,在所述限位塊的靠近所述加熱元件一側(cè)設(shè)置有與所述加熱元件的形狀相匹配的限位槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,還包括與所述加熱套體的下端連接的連接板,在所述連接板上與各個所述加熱元件相對應(yīng)的設(shè)置有通孔,在所述通孔處設(shè)置有與所述加熱元件相連通的接口,所述接口與電源連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,還包括熱電偶測溫器,所述熱電偶測溫器的溫度感應(yīng)部位位于所述坩堝的內(nèi)側(cè)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多功能納米真空蒸發(fā)源,其特征在于,在所述熱電偶測溫器的外部還設(shè)置有金屬材質(zhì)的隔離套,所述電偶測溫器的測溫部位與所述隔離套相抵觸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州泓沵達儀器科技有限公司,未經(jīng)蘇州泓沵達儀器科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020211269.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





