[實用新型]一種大功率LED散熱器

有效

• 申請號: 202020201073.8
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN211650170U
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 劉隆穗;黃明明;田博文
• 申請（專利權）人: 東莞市隆慧電子科技有限公司
• 主分類號: F21V29/503
• 分類號: F21V29/503;F21V29/76;F21V29/83;F21V29/89;F21Y115/10
• 代理公司: 東莞市永邦知識產權代理事務所(普通合伙) 44474
• 代理人: 聶磊

本實用新型公開了一種大功率LED散熱器，包括絕緣外殼、LED芯片和銅制框架，絕緣外殼內封裝LED芯片，LED芯片通過低碳鋼焊層A焊接銅制框架，銅制框架通過低碳鋼焊層B焊接絕緣外殼底面；低碳鋼焊層B底面設有陶瓷基板，陶瓷基板焊接銀銅合金導熱層A，銀銅合金導熱層A和低碳鋼焊層B焊接，陶瓷基板底面焊接銀銅合金導熱層B，銀銅合金導熱層B底面焊接低碳鋼焊層C；低碳鋼焊層C底面設有散熱器，散熱器底面等距離分布若干散熱翅片；本實用新型大大增強了LED的散熱性能，最終實現LED芯片的散熱。

技術領域

本實用新型涉及LED領域，特別是涉及一種大功率LED散熱器。

背景技術

大功率LED器件在使用過程中，其散熱效果好壞，往往決定了功率器件的輸出能力。目前，考慮到散熱等因素，功率器件普遍采用分立形式，可稱為功率半導體分立器件。功率半導體分立器件由于其封裝形式，底部的銅框架是帶電的，因此在與散熱器連接時，除了考慮散熱問題，還需要考慮絕緣問題。功率半導體分立器件在裝配時，常常使用陶瓷基板加硅脂的方法。但是此種方工藝復雜，并且，由于硅脂導熱系數在2-8KW/(m·℃)左右，越來越不能滿足現在功率器件的散熱需求。此外，LED器件在設計散熱時，未充分考慮銅框架面積對散熱的要求，且未考慮LED器件上下端均可以實現散熱設計，并且散熱翅片的散熱也為考慮如何通過形狀結構的變化來增加散熱功能。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型提供一種大功率LED散熱器，能解決背景技術中存在的技術缺陷。

為解決上述技術問題，本實用新型提供如下技術方案：一種大功率LED散熱器，包括絕緣外殼、LED芯片和銅制框架，所述絕緣外殼內封裝有LED芯片，所述LED芯片底面通過低碳鋼焊層A焊接銅制框架，所述銅制框架底面通過低碳鋼焊層B焊接絕緣外殼底面，且所述低碳鋼焊層B露出于絕緣外殼底面開口；所述低碳鋼焊層B底面設有陶瓷基板，所述陶瓷基板頂面焊接銀銅合金導熱層A，且所述銀銅合金導熱層A和低碳鋼焊層B焊接，所述陶瓷基板底面焊接銀銅合金導熱層B，且所述銀銅合金導熱層B底面焊接低碳鋼焊層C；所述低碳鋼焊層C底面設有散熱器，所述散熱器底面等距離分布若干散熱翅片；所述LED芯片頂面等距離分布若干導熱銅片，所述導熱銅片頂端粘結硅膠片，所述硅膠片和絕緣外殼內頂面連接，且所述絕緣外殼內頂面和硅膠片接觸位置均開設有散熱孔；所述銅制框架外表面等距離設有若干折彎面A，所述折彎面A上均勻壓制若干半球凹槽A；所述散熱翅片沿軸向設有若干折彎面B，所述折彎面B上均勻壓制若干半球凹槽B。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述低碳鋼焊層A、低碳鋼焊層B和低碳鋼焊層C的均為碳含量低于0.25％的碳素鋼板式片狀層。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述銀銅合金導熱層A和銀銅合金導熱層B底面面積相等。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述陶瓷基板底面面積大于銀銅合金導熱層A和銀銅合金導熱層B底面面積。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述低碳鋼焊層B和低碳鋼焊層C底面面積一致，且均大于低碳鋼A底面面積。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述半球凹槽A和半球凹槽B的直徑小于等于0.2mm；所述陶瓷基板寬度小于等于1mm。

與現有技術相比，本實用新型能達到的有益效果是：本實用新型通過在LED芯片頂面增加易于散熱的導熱銅片和硅膠片，并將熱量從絕緣外殼頂面的散熱孔散熱，大大增強了本實用新型的散熱性能；通過在LED芯片的銅制框架和散熱翅片增加折彎面和半球凹槽，大大增加了導熱介質的散熱面積，進而增加了散熱性能，最終實現LED芯片的散熱。

附圖說明

圖1是本實用新型結構示意圖；

圖2是本實用新型所述銅制框架俯視結構示意圖；

圖3是本實用新型所述散熱翅片俯視結構示意圖；