[實用新型]一種用于在晶圓表面壓膜的壓膜裝置有效
| 申請號: | 202020189605.0 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN211320058U | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 葛凱倫;陳學詣 | 申請(專利權)人: | 寧波得力微機電芯片技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 寧波誠源專利事務所有限公司 33102 | 代理人: | 胡志萍;張艷鵬 |
| 地址: | 315699 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 表面 裝置 | ||
本實用新型涉及一種用于在晶圓表面壓膜的壓膜裝置包括第一壓輥;第二壓輥,平行設置在第一壓輥的下方,且第一壓輥與第二壓輥之間形成有可供第一傳送帶和第二傳送帶同時穿過的夾縫;第一壓輥和第二壓輥分別通過對應的驅動機構驅動下轉動;第一傳送帶用于傳送連接在其上的單片膜,它通過第一壓輥的帶動下連同單片膜穿經夾縫;第二傳送帶用于傳送設在其上的晶圓,它通過第二壓輥的帶動下使晶圓與第一傳送帶上的單片膜呈相對狀同步穿過夾縫,而實現晶圓與單片膜的壓合。如此帶動單片膜的第一傳送帶的牽引力為第一壓輥的轉動作為牽引力,因此單片膜的受力方向、大小一致,同時第一傳送帶傳送單片膜可以有效降低或避免單片膜受應力變形。
技術領域
本實用新型屬于半導體制程的壓模機設備技術領域,具體涉及一種用于在晶圓表面壓膜的壓膜裝置。
背景技術
在半導體制程中,各層結構之間的對位精度需要達到微米或者納米級別,如圖1所示,噴孔片0、單片膜31以及晶圓41自上而下依次設置,噴孔片0、單片膜31以及晶圓41的設置方式具體也可參考專利號為CN02126872.X(公告號為CN1468712A)的中國發明專利公開的《一種噴墨式打印頭晶粒的噴孔片的制作方法》,上層的噴孔片0具有直徑20微米的噴孔01,單片膜31上具有30微米的噴墨腔312,噴孔01需要位于下方噴墨腔312的正中心,偏位要求為1微米以內。
在壓膜工藝中,會選用液態材料進行制膜后壓膜,需要先用液態材料在涂布內高速旋轉制作成固態單片膜31后,例如20微米厚度,再通過壓膜機進行壓合。現有技術中,如圖2所示,在單片膜31壓膜操作過程中,需要將晶圓41放在傳動帶上,人工手持單片膜31進行對位與壓制,壓制可以采用貼膜機碾壓貼膜,如專利號為CN200810202280.9(公開號為CN101738865A)的中國發明專利申請公開的《一種干法貼膜工藝》所示。壓制過程中單片膜31因人工手持,存在微弱的拉扯力,使壓膜后單片膜31與晶圓41之間存在著細微的水平應力,由于是人工作業,該應力的大小和方向存在隨機性。壓膜后,進行曝光,顯影,然后進行烘烤。在烘烤過程中,應力得到釋放,使得單片膜31發生微弱的偏移,例如在2-10微米的偏移,但是噴孔片0在壓合的過程中并不會相對晶圓41產生位置偏移(單片膜31和噴孔片0均以晶圓41上的基準點進行定位),這導致噴孔01與噴墨腔312之間的偏差超過設定范圍,使得晶圓部分區域的芯片超過規范要求而成為不良品。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術的現狀,提供一種在壓膜制程中單片膜受力大小和方向一致的用于在晶圓表面壓膜的壓膜裝置。
本實用新型解決上述技術問題所采用的技術方案為:一種用于在晶圓表面壓膜的壓膜裝置,其特征在于:包括
第一壓輥;
第二壓輥,平行設置在第一壓輥的下方,且第一壓輥與第二壓輥之間形成有可供第一傳送帶和第二傳送帶同時穿過的夾縫;所述第一壓輥和第二壓輥分別通過對應的驅動機構驅動下轉動;
所述第一傳送帶用于傳送連接在其上的單片膜,它通過第一壓輥的帶動下連同單片膜穿經夾縫;
所述第二傳送帶用于傳送設在其上的晶圓,它通過第二壓輥的帶動下使晶圓與第一傳送帶上的單片膜呈相對狀同步穿過夾縫,而實現晶圓與單片膜的壓合。
為了便于第一傳送帶和第二傳送帶使用完后卷收以及下次使用時輸出,該壓膜裝置還包括供第一傳送帶繞設其上的第一放卷滾軸以及供第二傳送帶繞設其上的第二放卷滾軸。
為了提高第一傳送帶的傳送平穩度,沿第一傳送帶的行進方向,所述第一放卷滾軸的下游設有支撐臺,該支撐臺包括支撐架以及設置在支撐架上的臺面,所述第一傳送帶繞經該臺面而形成用于上單片膜的作業平臺。這樣第一傳送帶從第一放卷滾軸輸出后,支承在支撐臺的臺面上,避免第一傳送帶在自身重力作用下下墜;并且在第一傳送帶繞經支撐臺的臺面時,上單片膜,即將單片膜定位在第一傳送帶上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





