[實用新型]防晃動二次加料部件及單晶爐

有效

• 申請號: 202020187302.5
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN212800601U
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 芮陽;馬成;王忠保
• 申請（專利權）人: 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02;C30B29/06
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 孫彥虎

一種防晃動二次加料部件，包括不等徑石英管、鉬桿、連接軸、錐形蓋體、支撐環，不等徑石英管的兩端部的內徑小于中間部的內徑，鉬桿的上端與連接軸連接，鉬桿的下端穿過不等徑石英管，鉬桿的下端與錐形蓋體的錐端連接，錐形蓋體相對錐端的一端面直徑不小于不等徑石英管的兩端部的內徑，支撐環的內徑等于不等徑石英管的外徑，支撐環套裝在不等徑石英管的外環壁上，本實用新型中，采用內徑較大的石英管，在其兩端部進行改造，使得石英管兩端部內徑縮小至要求尺寸，使鉬桿和石英管之間接觸更緊密，減少晃動，避免鉬桿將石英管損壞，同時采用內徑較大的石英管，僅對其兩端加工改進，制作成本相對低，本實用新型還提供了一種單晶爐。

技術領域

本實用新型涉及單晶硅加工設備技術領域，特別涉及一種防晃動二次加料部件及單晶爐。

背景技術

單晶硅通常使用單晶爐制取，制備過程中，將多晶硅裝入坩堝內，加熱熔化，然后硅料做降溫，給與一定的過冷度，把籽晶裝入硅籽晶夾持器中，將籽晶夾持器的上端與提拉頭連接，并且使籽晶與硅熔體接觸，通過調整熔體的溫度和籽晶向上的提升速度，使籽晶長大形成硅棒，由于多晶硅初始裝進坩堝內呈堆積狀態，占據空間比較大，造成坩堝的一次裝填量比較少，待多晶硅加熱熔化后，其體積縮小，坩堝上部尚余較大的空間，多晶硅原料的裝填量不足，造成一次拉出的單晶硅棒長度較短，因此，現有的設計中，大多設置有二次加料器，而目前在使用的二次加料器時，因石英管內徑大，導致鉬桿晃動嚴重，容易對石英管造成損壞，以至于影響拉晶。國外半導體特定管材石英材料價格太高，國內半導體特定管材價格低，但小尺寸內徑達不到要求，導致在購買使用時諸多不便，制作成本高。

發明內容

有鑒于此，針對上述不足，有必要提出一種防晃動二次加料部件。

還有必要提出一種設置有防晃動二次加料部件的單晶爐。

一種不等徑石英管，所述不等徑石英管的兩端部的內徑小于中間部的內徑。

一種防晃動二次加料部件，包括不等徑石英管、鉬桿、連接軸、錐形蓋體、支撐環，所述不等徑石英管的兩端部的內徑小于中間部的內徑，所述鉬桿的上端與連接軸連接，所述鉬桿的下端穿過不等徑石英管，所述鉬桿的下端與錐形蓋體的錐端連接，所述錐形蓋體相對錐端的一端面直徑不小于不等徑石英管的兩端部的內徑，所述支撐環的內徑等于不等徑石英管的外徑，所述支撐環套裝在不等徑石英管的外環壁上。

優選的，所述防晃動二次加料部件還包括導向環，所述導向環固定在不等徑石英管內側中間部，所述導向環為兩個，一個導向環靠近不等徑石英管的上端，另一個導向環靠近不等徑石英管的下端，所述導向環的內徑等于鉬桿的外徑，所述導向環的外徑小于不等徑石英管的內徑。

優選的，所述防晃動二次加料部件還包括壓蓋，所述壓蓋的外徑大于不等徑石英管的外徑，在壓蓋上設有豁口，所述豁口由壓蓋的邊緣沿其徑向延伸至壓蓋的圓心，所述豁口的寬度不小于鉬桿的外徑。

一種單晶爐，包括上爐體、隔離閥、下爐體、坩堝、提升機構、提拉頭以及防晃動二次加料部件，所述上爐體安裝在隔離閥的上端，所述下爐體安裝在隔離閥的下端，所述坩堝安裝在下爐體內，在上爐體內設有提升機構，所述提升機構的伸縮端與提拉頭連接，所述提拉頭與連接軸連接，所述不等徑石英管的上端置于上爐體中，所述支撐環卡裝在上爐體內側的底部，以將不等徑石英管相對上爐體固定，所述不等徑石英管的下端穿過隔離閥、下爐體，以使不等徑石英管的下端位于坩堝的正上方。

本實用新型中，采用內徑較大的石英管，在其兩端部進行改造，使得石英管兩端部內徑縮小至要求尺寸，使鉬桿和石英管之間接觸更緊密，減少晃動，避免鉬桿將石英管損壞，同時采用內徑較大的石英管，僅對其兩端加工改進，制作成本相對低。

附圖說明

圖1為所述防晃動二次加料部件的剖視圖。

圖2為所述防晃動二次加料部件的俯視圖。

圖3為所述防晃動二次加料部件的沿A-A方向的剖視圖。