[實用新型]用于靜電過濾器的電極

有效

• 申請號: 202020170300.5
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN211507564U
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 羅伯特·C·林德柏格;亞歷山大·利坎斯奇;惠妮·拉伯斯;法蘭克·辛克萊;史費特那·瑞都凡諾
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01J37/147
• 分類號: H01J37/147;H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本實用新型提供一種用于靜電過濾器的電極。在一些實施例中，系統可包含接收離子束的靜電過濾器，靜電過濾器包含安置在離子束線的相對側的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極中的每一個具有位于第一端與第二端之間的中心區域，其中第一電極的第一外表面與第二電極的第二外表面之間的距離沿著在第一端與第二端之間延伸的電極縱軸變化。系統可進一步包含與靜電過濾器連通的電源，電源可操作以向第一電極和第二電極供應電壓和電流，其中第一外表面與第二外表面之間的可變距離引起離子束會聚或發散。

技術領域

本實用新型大體上涉及用于制造電子裝置的技術，尤其涉及用于使用具有成形電極的靜電過濾器來控制離子束的技術。

背景技術

離子植入為經由轟擊將摻雜劑或雜質引入到襯底內的工藝。在半導體制造中，引入摻雜劑以更改電學、光學或機械特性。舉例來說，可將摻雜劑引入到本征半導體襯底中以更改襯底的傳導率的類型和等級。在制造集成電路 (integrated circuit，IC)過程中，精確的摻雜分布提供改善的IC性能。為了達成所需的摻雜分布，可以離子的形式按各種劑量和各種能級植入一種或多種摻雜劑。

離子植入系統可包括離子源和一系列束線組件。離子源可包括產生所需離子的腔室。離子源也可包括安置在腔室附近的電源和提取電極組合件。束線組件可包含例如質量分析器、一個或多個分析磁體、第一加速或減速級、準直器以及第二加速或減速級。分析磁體選擇所需離子物質，濾出污染物質和具有非所需能量的離子，并且在目標晶片處調節離子束質量。適當成形的電極可修改離子束的能量和形狀。與用于操控光束的一系列光學透鏡十分相似，束線組件能夠過濾、聚焦、加速、減速以及操控離子或離子束以具有所需物質、形狀、能量和/或其它質量。離子束穿過束線組件且可朝向安裝于壓板或夾鉗上的襯底引導。襯底可在光束中以一個或多個維度(例如平移、旋轉以及傾斜)移動，從而達成所需工藝結果。

發生在束線組件的光學元件中的離子能量中的重要改變可對離子束的形狀具有實質的影響。舉例來說，減速透鏡可面臨與偏轉角和光束聚焦的控制相關聯的挑戰(特別當電流在離子植入系統中增大時)。在一些情況下，穿過帶形離子束的線性場趨向于水平發散。一種減少光束發散的方法為調節邊緣聚焦電極以試圖重新引導外光束射線。然而，無法恰當地控制邊緣聚焦電極內側的光束射線。

實用新型內容

提供此實用新型內容以按簡化形式引入下文在具體實施方式中進一步描述的概念選擇。此實用新型內容并不意圖識別所要求主題的關鍵特征或基本特征，也不為意圖作為輔助以確定所要求主題的范圍的概述。

在一個實施例中，離子植入系統可包含接收離子束的靜電過濾器，靜電過濾器包含沿離子束線的一個側安置的第一電極和沿離子束線的第二側安置的第二電極，第一電極和第二電極中的每一個具有位于第一端與第二端之間的中心區域，其中第一電極的第一外表面與第二電極的第二外表面之間的距離沿著在第一端與第二端之間延伸的電極縱軸或沿著沿離子束線延伸的第二軸變化。離子植入系統可進一步包含與靜電過濾器連通的電源，電源可操作以向第一電極和第二電極供應電壓和電流，其中第一外表面與第二外表面之間的可變距離引起離子束響應于電壓和電流而會聚或發散。

在另一實施例中，靜電透鏡可包含沿離子束線的一個側安置的第一電極和沿離子束線的第二側安置的第二電極，第一電極和第二電極中的每一個具有第一端與第二端之間的中心區域，其中第一電極的第一外表面與第二電極的第二外表面之間的距離沿著在第一端與第二端之間延伸的電極縱軸或沿著沿離子束線延伸的第二軸變化，且其中第一外表面和第二外表面的形狀引起離子束響應于供應到第一電極或第二電極的電壓和電流而會聚或發散。