[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 202020169605.4
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN211789011U
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 雒曲;徐政業
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 杜娟娟

本實用新型涉及一種半導體器件。該導體器件包括半導體基板、埋入式字線結構和鰭型結構。其中半導體基板具有淺溝槽隔離結構和平行設置的多個有源區；埋入式字線結構位于所述半導體基板內，沿第一方向延伸，跨過多個所述淺溝槽隔離結構和所述有源區；鰭型結構位于所述有源區與所述埋入式字線結構相交的區域中，且所述埋入式字線結構環繞包覆所述鰭型結構。

技術領域

本實用新型涉及半導體存儲器件技術領域，尤其涉及一種半導體器件。

背景技術

為提升動態隨機存取存儲器的集成度以加快元件的操作速度，以及符合消費者對于小型化電子裝置的需求，近年來發展出埋入式字線動態隨機存取存儲器，以滿足上述種種需求但是隨著存儲器的集成度增加。

然而，隨機存取存儲器的因為元件本身的尺寸很小，所以往往會因為工藝限制而影響有源區的面積，使得柵極的控制能力以及溝道寬度受限，從而導致半導體器件開啟電壓偏高、開啟速度偏慢、工作電流較低，進而影響元件本身的效能。

實用新型內容

本實用新型提供了一種半導體器件，以提高半導體存儲器件的效能。

本實用新型實施例還提供了一種半導體器件，包括：

半導體基板，具有淺溝槽隔離結構和平行設置的多個有源區；

埋入式字線結構，位于所述半導體基板內，沿第一方向延伸，跨過多個所述淺溝槽隔離結構和所述有源區；以及

鰭型結構，位于所述有源區與所述埋入式字線結構相交的區域中，且所述埋入式字線結構環繞包覆所述鰭型結構。

在其中一個實施例中，所述半導體基板為SOI基板，包括硅材料層、背襯底以及夾設在所述硅材料層和所述背襯底之間的氧化材料層。

在其中一個實施例中，位于所述鰭型結構下方的所述埋入式字線結構的高度為20～80nm。

在其中一個實施例中，位于所述鰭型結構上方的所述埋入式字線結構的高度為10～100nm。

在其中一個實施例中，所述埋入式字線結構包括金屬導電層，所述金屬導電層與所述鰭型結構絕緣設置，且環繞包覆所述鰭型結構。

在其中一個實施例中，

所述埋入式字線結構還包括：

柵氧化層，設置于所述襯底基板面向所述金屬導電層的表面上，包覆所埋入式字線結構；和

金屬阻擋層，設置于所述柵氧化層與所述金屬導電層之間。

在其中一個實施例中，金屬阻擋層的制作材料為氮化鈦。

在其中一個實施例中，所述金屬導電層的制作材料為鋁、鎢、銅或鈦鋁合金。

在其中一個實施例中，所述埋入式字線結構的寬度為10～25nm。

在其中一個實施例中，所述半導體器件還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層和所述埋入式字線結構。

綜上，本實用新型提供了一種半導體器件。本實用新型的半導體器件具有形成有鰭型結構和環繞所述鰭型結構的所述埋入式字線結構，由于所述鰭型結構被所述埋入式字線結構環繞，因此可以提升切換效能，降低其閾值電壓，以及提高其工作電流，有利于提升刷新效能。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種半導體器件的制作方法流程圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種半導體基板的結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的一種形成有第一字線溝槽結構的半導體基板的結構示意圖；