[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 202020169605.4 | 申請日： | 2020-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN211789011U | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 雒曲;徐政業 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體基板，具有淺溝槽隔離結構和平行設置的多個有源區；
埋入式字線結構，位于所述半導體基板內，沿第一方向延伸，跨過多個所述淺溝槽隔離結構和所述有源區；以及
鰭型結構，位于所述有源區與所述埋入式字線結構相交的區域中，且所述埋入式字線結構環繞包覆所述鰭型結構。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基板為SOI基板，包括硅材料層、背襯底以及夾設在所述硅材料層和所述背襯底之間的氧化材料層。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，位于所述鰭型結構下方的所述埋入式字線結構的高度為20～80nm。
4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，位于所述鰭型結構上方的所述埋入式字線結構的高度為10～100nm。
5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述埋入式字線結構包括金屬導電層，所述金屬導電層與所述鰭型結構絕緣設置，且環繞包覆所述鰭型結構。
6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬導電層的制作材料為鋁、鎢、銅或鈦鋁合金。
7.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述埋入式字線結構還包括：
柵氧化層，設置于所述半導體基板面向所述金屬導電層的表面上，包覆所埋入式字線結構；和
金屬阻擋層，設置于所述柵氧化層與所述金屬導電層之間。
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬阻擋層的制作材料為氮化鈦。
9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述埋入式字線結構的寬度為10～25nm。
10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述埋入式字線結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
