[實用新型]光電二極管

有效

• 申請號: 202020167360.1
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN211929506U
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: B·羅德里格斯·岡卡爾維斯;A·圖尼耶
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的各實施例涉及光電二極管。光電二極管包括第一摻雜劑類型的第一襯底層和在第一襯底層的頂部上的第二摻雜劑類型的第二襯底層。在包括第一襯底層和第二襯底層的半導體襯底中提供半導體壁。半導體壁包括：兩個外半導體壁和定位在兩個外半導體壁之間的至少一個內半導體壁。每個內半導體壁位于具有更長長度的兩個半導體壁之間。根據本公開的實施例，實現了簡單的功率管理。

技術領域

本公開總體上涉及光電二極管。

背景技術

光電二極管是一種半導體組件，具有檢測來自光域的輻射并將其轉換為電信號的能力。更具體地說，光在光電二極管的有源區內形成電子。然后必須通過電路將這些電子取回。

在包括光電二極管的2D成像傳感器或3D成像傳感器中，在捕獲場景期間在給定時刻形成的電子存儲在存儲器中，然后通過電路讀取電子量以獲得關于場景的數據(datum)。

為了使關于場景的數據精確并與給定時刻相對應，最好使電子迅速向存儲器移動。

實用新型內容

本公開至少解決了需要復雜的電源管理電路問題。

根據本公開的第一方面，提供了一種光電二極管，包括：半導體襯底，半導體襯底包括第一摻雜劑類型的第一襯底層和在第一襯底層的頂部上的第二摻雜劑類型的第二襯底層；半導體襯底中的多個半導體壁；其中多個半導體壁包括：第一外半導體壁和第二外半導體壁，在第一方向上彼此平行延伸，第一外半導體壁和第二外半導體壁中的每個外半導體壁具有第一長度；和多個內半導體壁，在第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在第一外半導體壁和第二外半導體壁之間，多個內半導體壁包括：第一內半導體壁，具有小于第一長度的第二長度；和第二內半導體壁和第三內半導體壁，各自具有小于第二長度的第三長度，其中第二內半導體壁被定位在第一外半導體壁和第一內半導體壁之間，并且其中第三內半導體壁被定位在第二外半導體壁和第一內半導體壁之間。

在一些實施例中，多個內半導體壁沿其長度在公共軸線處居中，公共軸線在第一外半導體壁和第二外半導體壁之間延伸并且垂直于第一外半導體壁和第二外半導體壁延伸。

在一些實施例中，多個半導體壁還包括在垂直于第一方向的第二方向上彼此平行地延伸的第三外半導體壁和第四外半導體壁，并且其中多個內半導體壁被定位在第三外半導體壁第四外半導體壁之間。

在一些實施例中，第三外半導體壁和第四外半導體壁的端部被耦合至第一外半導體壁和第二外半導體壁的端部。

在一些實施例中，第三外半導體壁和第四外半導體壁以及第一外半導體壁和第二外半導體壁至少部分地圍繞光電二極管的有源區。

在一些實施例中，第三外半導體壁和第四外半導體壁以及第一外半導體壁和第二外半導體壁圍繞光電二極管的有源區。

在一些實施例中，多個內半導體壁還包括：第四內半導體壁和第五內半導體壁，各自具有大于第三長度的第四長度，其中第四內半導體壁被定位在第一外半導體壁和第二內半導體壁之間，并且其中第五內半導體壁被定位在第二外半導體壁和第三內半導體壁之間。

在一些實施例中，第四長度小于第二長度。

在一些實施例中，多個內半導體壁還包括：第六內半導體壁和第七內半導體壁，各自具有小于第四長度的第五長度，其中第六內半導體壁被定位在第一外半導體壁和第四內半導體壁之間，并且其中第七內半導體壁被定位在第二外半導體壁和第五內半導體壁之間。

在一些實施例中，第五長度等于第三長度。

在一些實施例中，多個半導體壁還包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第三外半導體壁，并且其中多個內半導體壁的端部被耦合至第三外半導體壁。

在一些實施例中，第三外半導體壁以及第一外半導體壁和第二外半導體壁至少部分地圍繞光電二極管的有源區。