[實用新型]光電二極管

有效

• 申請號: 202020167360.1
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN211929506U
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: B·羅德里格斯·岡卡爾維斯;A·圖尼耶
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種光電二極管，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括第一摻雜劑類型的第一襯底層和在所述第一襯底層的頂部上的第二摻雜劑類型的第二襯底層；

所述半導體襯底中的多個半導體壁；

其中所述多個半導體壁包括：

第一外半導體壁和第二外半導體壁，在第一方向上彼此平行延伸，所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁中的每個外半導體壁具有第一長度；和

多個內半導體壁，在所述第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁之間，所述多個內半導體壁包括：

第一內半導體壁，具有小于所述第一長度的第二長度；和

第二內半導體壁和第三內半導體壁，各自具有小于所述第二長度的第三長度，其中所述第二內半導體壁被定位在所述第一外半導體壁和所述第一內半導體壁之間，并且其中所述第三內半導體壁被定位在所述第二外半導體壁和所述第一內半導體壁之間。

2.根據權利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述多個內半導體壁沿其長度在公共軸線處居中，所述公共軸線在所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁之間延伸并且垂直于所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁延伸。

3.根據權利要求2所述的光電二極管，其特征在于，所述多個半導體壁還包括在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此平行地延伸的第三外半導體壁和第四外半導體壁，并且其中所述多個內半導體壁被定位在所述第三外半導體壁所述第四外半導體壁之間。

4.根據權利要求3所述的光電二極管，其特征在于，所述第三外半導體壁和所述第四外半導體壁的端部被耦合至所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁的端部。

5.根據權利要求3所述的光電二極管，其特征在于，所述第三外半導體壁和所述第四外半導體壁以及所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁至少部分地圍繞所述光電二極管的有源區。

6.根據權利要求3所述的光電二極管，其特征在于，所述第三外半導體壁和所述第四外半導體壁以及所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁圍繞所述光電二極管的有源區。

7.根據權利要求2所述的光電二極管，其特征在于，所述多個內半導體壁還包括：

第四內半導體壁和第五內半導體壁，各自具有大于所述第三長度的第四長度，其中所述第四內半導體壁被定位在所述第一外半導體壁和所述第二內半導體壁之間，并且其中所述第五內半導體壁被定位在所述第二外半導體壁和所述第三內半導體壁之間。

8.根據權利要求7所述的光電二極管，其特征在于，所述第四長度小于所述第二長度。

9.根據權利要求7所述的光電二極管，其特征在于，所述多個內半導體壁還包括：

第六內半導體壁和第七內半導體壁，各自具有小于所述第四長度的第五長度，其中所述第六內半導體壁被定位在所述第一外半導體壁和所述第四內半導體壁之間，并且其中所述第七內半導體壁被定位在所述第二外半導體壁和所述第五內半導體壁之間。

10.根據權利要求9所述的光電二極管，其特征在于，所述第五長度等于所述第三長度。

11.根據權利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述多個半導體壁還包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第三外半導體壁，并且其中所述多個內半導體壁的端部被耦合至所述第三外半導體壁。

12.根據權利要求11所述的光電二極管，其特征在于，所述第三外半導體壁以及所述第一外半導體壁和所述第二外半導體壁至少部分地圍繞所述光電二極管的有源區。