[實用新型]一種半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202020160355.8
• 申請日: 2020-02-11
• 公開（公告）號: CN211238231U
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 吳平麗;黃健;孫閆濤;陳則瑞;顧昀浦;宋躍樺;樊君;張麗娜
• 申請（專利權）人: 捷捷微電（上海）科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 曾敬

本實用新型公開了一種半導體封裝結構，包括芯片，所述芯片的正面具有正面電極焊盤和第一金屬焊盤，所述芯片的背面具有背面電極金屬，所述芯片內部設有硅通孔，所述硅通孔內部設有將所述背面電極金屬引致所述第一金屬焊盤的金屬件。本實用新型通過在芯片內部把背面電極金屬連接到芯片正面的方式，形成芯片級封裝，不需要通過傳統的引線框架的方式把芯片背面電極金屬和芯片正面電極引在同一個面，芯片與封裝體的面積比接近1:1，大大提高了芯片面積與封裝面積的比值。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體為一種半導體封裝結構。

背景技術

隨著計算機、通訊、汽車電子、航空航天工業和其他消費類系統領域的發展，對半導體芯片的尺寸和功耗的要求不斷提高、即需要更小、更薄、更輕、高可靠、多功能、低功耗和低成本的芯片。

傳統封裝形式通過引線鍵合工藝，封裝效率較低，芯片與封裝體的面積比值遠小于 1:1，從而影響到電子產品的最終外形尺寸，傳統封裝形式已無法適應于電子產品小型化發展的要求。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種半導體封裝結構，通過在芯片內部把背面電極金屬連接到芯片正面的方式，形成芯片級封裝，不需要通過傳統的引線框架的方式把芯片背面電極金屬和芯片正面電極引在同一個面。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種半導體封裝結構，包括芯片，所述芯片的正面具有正面電極焊盤和第一金屬焊盤，所述芯片的背面具有背面電極金屬，所述芯片內部設有硅通孔，所述硅通孔內部設有將所述背面電極金屬引致所述第一金屬焊盤的金屬件。

優選的，所述芯片設置有第一塑封層，所述第一塑封層包覆所述芯片，并暴露所述正面電極焊盤和第一金屬焊盤。

優選的，所述芯片設置有第二塑封層，所述第二塑封層從芯片的背面覆蓋所述背面電極金屬。

優選的，所述金屬件包括阻擋層、襯里層和導電層，所述阻擋層、襯里層和導電層自硅通孔內壁朝內依次設置。

優選的，所述阻擋層為絕緣層。

與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：本實用新型通過在芯片內部把背面電極金屬連接到芯片正面的方式，形成芯片級封裝，不需要通過傳統的引線框架的方式把芯片背面電極金屬和芯片正面電極引在同一個面，芯片與封裝體的面積比接近1:1，大大提高了芯片面積與封裝面積的比值。

附圖說明

圖1為本實用新型第一實施例的剖視圖；

圖2為本實用新型第一實施例的金屬件的剖視圖；

圖3A至圖3I為本實用新型第一實施例的封裝過程的工藝流程圖；

圖4為本實用新型的第二實施例的剖視圖；

圖5A至圖5L為本實用新型第二實施例的封裝過程的工藝流程圖；

圖6為本實用新型的第三實施例的剖視圖；

圖7A至圖7E為本實用新型第三實施例的封裝過程的工藝流程圖；

圖8為本實用新型的第四實施例的剖視圖；

圖9A至圖9E為本實用新型第四實施例的封裝過程的工藝流程圖。

圖中：1、芯片；2、正面電極焊盤；3、第一金屬焊盤；4、背面電極金屬；5、硅通孔；6、金屬件；61、阻擋層；62、襯里層；63、導電層；7、第一塑封層；8、第二塑封層；001、晶圓；002、劃片槽；003、晶圓載板；004、粘結膜；005、切割膜。

具體實施方式