[實用新型]一種半導體封裝結構有效
| 申請號： | 202020160355.8 | 申請日： | 2020-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN211238231U | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 吳平麗;黃健;孫閆濤;陳則瑞;顧昀浦;宋躍樺;樊君;張麗娜 | 申請（專利權）人： | 捷捷微電（上海）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367 | 代理人： | 曾敬 |
| 地址： | 200120 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體封裝結構，包括芯片，所述芯片的正面具有正面電極焊盤和第一金屬焊盤，所述芯片的背面具有背面電極金屬，其特征在于：所述芯片內部設有硅通孔，所述硅通孔內部設有將所述背面電極金屬引致所述第一金屬焊盤的金屬件。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片設置有第一塑封層，所述第一塑封層包覆所述芯片，并暴露所述正面電極焊盤和第一金屬焊盤。
3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片設置有第二塑封層，所述第二塑封層從芯片的背面覆蓋所述背面電極金屬。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬件包括阻擋層、襯里層和導電層，所述阻擋層、襯里層和導電層自硅通孔內壁朝內依次設置。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述阻擋層為絕緣層。
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