[實用新型]一種用于鍍膜設備的電極組結(jié)構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020158314.5 | 申請日: | 2020-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN213739675U | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 龐愛鎖;林佳繼;劉群;林依婷 | 申請(專利權)人: | 拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 214192 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 鍍膜 設備 電極 結(jié)構 | ||
本實用新型提供一種用于鍍膜設備的電極組結(jié)構,包括電極組正極塊和電極組負極塊,電極組正極塊和電極組負極塊上分別設有石墨電極片的放置部位。所述電極組結(jié)構設置在用于鍍膜的真空爐腔內(nèi),并能夠在所述真空爐腔內(nèi)的一定范圍內(nèi)移動。本實用新型的電極組結(jié)構包括一個單獨的由石墨電極片組成的石墨電極組結(jié)構,這個石墨電極組結(jié)構本身不承載硅片,能夠?qū)⑹姌O和硅片載具分離對插,使鍍膜設備的結(jié)構和工藝都更加合理。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制造領域,尤其涉及太陽能制造領域用于硅片鍍膜反應的電極組結(jié)構。
背景技術
在半導體或光伏材料加工方面,CVD技術是其中的一種處理方式, CVD技術目前已經(jīng)廣泛用于半導體或光伏材料加工,常見的加工設備有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD設備之外還有擴散設備,例如磷擴散、硼擴散等采用氣體擴散的方式來對原材料進行加工,目前行業(yè)內(nèi)已有不少相關的設備,可以針對具體的加工需求來選擇相應的設備進行加工,半導體或光伏材料的加工,通常是將片狀材料送入爐中在一定溫度和壓力的條件下進行反應來實現(xiàn),在對半導體或者光伏材料加工的過程中,通常采用一些裝置來裝載或移動待加工的、加工中的或者加工后的材料,行業(yè)內(nèi)通常把這種裝載或者移動的裝置稱為舟、石墨舟、小舟或者花籃。
在加工反應的過程中,為了進行硅片的表面薄膜生長,需要讓硅片處于一定條件的氛圍中,例如等離子態(tài),在這種情況下才能夠滿足薄膜生長的工藝條件,通常來說在石墨舟上會設置電極結(jié)構,例如,硅片載具本身帶有電極結(jié)構,在生產(chǎn)的時候可以通電使得硅片載具附近氣體處于等離子化的狀態(tài),但是由于石墨舟和硅片結(jié)構需要間隔設置,硅片需要卡在石墨舟片上的卡槽里,當向石墨舟片卡槽中進行插片時,容易損傷硅片或者電極片。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種用于鍍膜設備的電極組結(jié)構,能夠?qū)⑹姌O和硅片載具分離對插,解決背景技術中的問題。
本實用新型解決技術問題所采用的技術方案是:
一種用于鍍膜設備的電極組結(jié)構,所述電極組結(jié)構設置在用于鍍膜的真空爐腔內(nèi),并能夠在所述真空爐腔內(nèi)的一定范圍內(nèi)移動;所述真空爐腔底部設有電極組平移導軌,所述電極組結(jié)構底部設有橫向滑塊,所述橫向滑塊能夠在所述電極組平移導軌上移動,從而帶動所述電極組結(jié)構在真空爐腔內(nèi)移動;所述真空爐腔的一側(cè)設有電極組推送機構和電極組推送開孔,所述電極組推送機構包括電極組推送氣缸、電極組推送氣缸的輸出端通過氣缸連接軸連接電極組推送桿,所述電極組推送桿穿過所述電極組推送開孔能夠推送所述電極組結(jié)構;所述電極組結(jié)構的底部的一側(cè)設有助推板,所述電極組推送桿能夠伸入真空爐腔內(nèi),頂?shù)炙鲋瓢澹瑥亩扑退鲭姌O組結(jié)構。
進一步地,包括電極組正極塊和電極組負極塊,電極組正極塊和電極組負極塊上分別設有石墨電極片的放置部位。
進一步地,所述電極組正極塊和電極組負極塊上的放置部位交錯設置。
進一步地,所述放置部位包括用于夾持石墨電極片的卡槽,卡槽的外端設有凸點,凸點能夠與卡槽所夾持的石墨片的上表面接觸。
進一步地,所述真空爐腔底部設有電極組平移導軌,所述電極組結(jié)構底部設有橫向滑塊,所述橫向滑塊能夠在所述橫向滑軌上移動,從而帶動所述電極組結(jié)構在真空爐腔內(nèi)移動。
進一步地,所述真空爐腔的一側(cè)設有電極組推送機構和電極組推送開孔,所述電極組推送機構包括電極組推送氣缸、電極組推送氣缸的輸出端通過氣缸連接軸連接電極組推送桿,所述電極組推送桿穿過所述電極組推送開孔能夠推送所述電極組結(jié)構。
進一步地,所述電極組結(jié)構的底部的一側(cè)設有助推板,所述電極組推送桿能夠伸入真空爐腔內(nèi),頂?shù)炙鲋瓢澹瑥亩扑退鲭姌O組結(jié)構。
進一步地,所述電極組推送氣缸安裝在氣缸安裝法蘭上,所述電極組推送開孔的外側(cè)通過腔體焊接法蘭密封,所述氣缸安裝法蘭和所述腔體焊接法蘭密封之間設有動密封法蘭。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司,未經(jīng)拉普拉斯(無錫)半導體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020158314.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





