[實(shí)用新型]一種TOPCon電池雙面鍍膜設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020158312.6
• 申請(qǐng)日: 2020-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN212293742U
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉群;林佳繼;龐愛鎖;林依婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 拉普拉斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/54
• 分類號(hào): C23C16/54;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

本實(shí)用新型提供一種TOPCon電池雙面鍍膜設(shè)備，包括用于鍍膜操作的真空爐腔，所述真空爐腔上設(shè)有爐口所述真空爐腔上設(shè)有爐口，包括硅片載具和電極組結(jié)構(gòu)，所述硅片載具能夠裝載到爐門上，所述爐門能夠在載板升降模組的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)硅片載具移動(dòng)；所述電極組結(jié)構(gòu)能夠在電極組平移機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下在所述真空爐腔內(nèi)移動(dòng)從而與所述硅片載具結(jié)合或者分離；所述真空爐腔底部設(shè)有抽真空接口。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及用于太陽(yáng)能電池表面的鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化鈍化接觸)作為一種新型鈍化技術(shù)已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)，該技術(shù)是在電池表面生成一層超薄的可隧穿的氧化層和一層高摻雜的多晶硅層，氧化層的鈍化作用和高摻雜多晶硅層的場(chǎng)鈍化作用可以極大地降低少子復(fù)合速率，同時(shí)高摻雜的多晶硅層對(duì)于多子來(lái)說(shuō)具有良好的傳導(dǎo)性，因而TOPCon電池具有高的開路電壓和填充因子。

現(xiàn)有技術(shù)中的一種雙面TOPCon電池表面鈍化方法，通常按照以下步驟來(lái)執(zhí)行：首先，對(duì)硅片進(jìn)行清洗制絨、硼擴(kuò)散、刻蝕、濕氧化（或下一步進(jìn)行熱氧化）等工藝處理；然后，利用LPCVD設(shè)備對(duì)硅片進(jìn)行熱氧化（或上一步進(jìn)行濕氧化）、利用LPCVD設(shè)備進(jìn)行本征硅生長(zhǎng)，再通過(guò)熱擴(kuò)散摻雜工藝或者離子注入摻雜工藝或直接利用LPCVD設(shè)備進(jìn)行原位摻雜工藝；然后利用濕法工藝去除繞擴(kuò)繞鍍層；然后，有兩種方式，方式1利用ALD設(shè)備對(duì)非摻雜面進(jìn)行氧化鋁薄膜生長(zhǎng)后再利用PECVD設(shè)備分別對(duì)硅片兩面進(jìn)行氮化硅薄膜生長(zhǎng)，方式2直接利用管式二合一PECVD設(shè)備對(duì)硅片的非摻雜面進(jìn)行氧化鋁薄膜生長(zhǎng)后，切換氮化硅薄膜生長(zhǎng)，再利用PECVD設(shè)備對(duì)硅片另一面進(jìn)行氮化硅薄膜生長(zhǎng)。最后再對(duì)硅片兩面進(jìn)行金屬化工藝。

在上述方法中，利用ALD設(shè)備和PECVD設(shè)備進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)，硅片需要取放轉(zhuǎn)移較多次，多次取放硅片，吸盤會(huì)對(duì)納米級(jí)薄膜產(chǎn)生損傷。利用二合一PECVD和PECVD設(shè)備進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)可以減少一次硅片取放轉(zhuǎn)移，但同樣存在由于硅片在石墨舟中豎直放置，由三個(gè)卡點(diǎn)固定，近卡點(diǎn)位置產(chǎn)生卡點(diǎn)印，另外硅片也沒(méi)有完全貼合石墨片，導(dǎo)致硅片表面薄膜生長(zhǎng)不均勻，無(wú)法快速高效的實(shí)現(xiàn)光伏電池的自動(dòng)化生產(chǎn)。因此亟需一種一次工藝實(shí)現(xiàn)正反兩面的鍍膜，而且過(guò)程無(wú)繞鍍的TOPCon電池雙面鍍膜設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種TOPCon電池雙面鍍膜設(shè)備，能夠克服背景技術(shù)中的問(wèn)題，填補(bǔ)雙面鍍膜技術(shù)的空白。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種TOPCon電池雙面鍍膜設(shè)備，所述真空爐腔上設(shè)有爐口，包括硅片載具和電極組結(jié)構(gòu)，所述硅片載具能夠裝載到爐門上，所述爐門能夠在載板升降模組的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)硅片載具移動(dòng)；所述電極組結(jié)構(gòu)能夠在電極組平移機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下在所述真空爐腔內(nèi)移動(dòng)從而與所述硅片載具結(jié)合或者分離；所述真空爐腔底部設(shè)有抽真空接口。

進(jìn)一步地，所述硅片載具包括框架，所述框架內(nèi)為一個(gè)鏤空區(qū)域，設(shè)有隔離支架，所述隔離支架將框架內(nèi)的鏤空部位隔離成至少兩個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域設(shè)有卡點(diǎn)，所述卡點(diǎn)位于所述鏤空部位的內(nèi)側(cè)壁上，且設(shè)置在內(nèi)側(cè)壁上靠近下表面的位置。

進(jìn)一步地，所述框架的一側(cè)設(shè)有安裝部位，所述安裝部位用于將框架安裝固定；所述安裝部位上設(shè)有至少一個(gè)安裝孔，所述安裝孔最好沿所述框架的中心線對(duì)稱；所述硅片載具還包括安裝桿，所述安裝桿與所述安裝孔一一對(duì)應(yīng)，所述框架通過(guò)安裝孔套裝在安裝桿上。

進(jìn)一步地，所述爐門連接在載板升降組件上；所述載板升降組件包括第一載板升降驅(qū)動(dòng)件，所述第一載板升降驅(qū)動(dòng)件通過(guò)驅(qū)動(dòng)件支架固定連接在爐門上表面；所述載板升降組件包括載板升降驅(qū)動(dòng)桿，所述爐門上設(shè)有能夠允許載板升降驅(qū)動(dòng)桿穿過(guò)的開孔，所述載板升降驅(qū)動(dòng)桿能夠穿過(guò)所述爐門連接所述硅片載具。