[實(shí)用新型]正壓偏置發(fā)光單元、同軸半導(dǎo)體激光器和光模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020154886.6 | 申請日: | 2020-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN211265964U | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖清華;何遲光;吳喜平;付敏;陳建國 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海思開達(dá)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/022 | 分類號: | H01S5/022;H01S5/026 |
| 代理公司: | 成都百川興盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51297 | 代理人: | 王云春;夏曉明 |
| 地址: | 519090 廣東省珠海市金灣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 正壓 偏置 發(fā)光 單元 同軸 半導(dǎo)體激光器 模塊 | ||
本實(shí)用新型公開一種正壓偏置發(fā)光單元,包括襯底,其包括頂面及作為地的底面;第一焊盤,其設(shè)置于頂面,其與底面電氣連接;半導(dǎo)體激光二極管,其陰極焊接于第一焊盤,其陽極金屬焊接面用于與正壓偏置電路的正極電氣連接。它采用正壓偏置。本實(shí)用新型還公開一種采用正壓偏置、射頻帶寬寬的同軸半導(dǎo)體激光器和光模塊。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于ROF(Radio Over Fiber)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及正壓偏置發(fā)光單元、同軸半導(dǎo)體激光器和光模塊。
背景技術(shù)
ROF技術(shù)在移動通信系統(tǒng)中的應(yīng)用已經(jīng)成為了人們關(guān)注的焦點(diǎn),它具備豐富的傳輸帶寬、大容量、低功耗、易于安裝與維護(hù)等多種優(yōu)勢,可以滿足5G移動通信的寬帶業(yè)務(wù)要求。目前中國及世界上很多發(fā)達(dá)國家都在大力布署5G移動通信網(wǎng)絡(luò),雖然在中國,目前商用的頻率在6GHz以下,但在美國,5G的頻率都用到毫米波頻段去了,如果還要兼容2G、3G和4G等網(wǎng)絡(luò),這就要求很寬的傳輸帶寬。這樣的話,如果用舊的數(shù)字光模塊的方案來做設(shè)計(jì),在成本上沒有任何的優(yōu)勢,而且設(shè)計(jì)復(fù)雜。這種情況下,用寬帶的模擬光模塊來傳輸就顯現(xiàn)出了具大的優(yōu)勢。由于5G工作頻率比較高,所承載的信息容量比較大,這樣可以實(shí)現(xiàn)高速信號鏈路,可由目前4G移動通信網(wǎng)絡(luò)的100Mb/s速率提升到5G移動通信網(wǎng)絡(luò)的1Gb/s以上。
除了民用方面的運(yùn)用,ROF在軍工領(lǐng)域用處也很多,在電子對抗、雷達(dá)系統(tǒng)和光纖延時(shí)器等領(lǐng)域都有很廣泛的應(yīng)用。
而作為ROF技術(shù)的核心部件半導(dǎo)體激光器,就要求具備超寬帶的射頻傳輸性能。如何滿足超寬帶的性能成為了需要解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種正壓偏置發(fā)光單元、同軸半導(dǎo)體激光器和光模塊,其采用正壓偏置供電,其射頻帶寬更寬。
本實(shí)用新型用于實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案如下:
一種正壓偏置發(fā)光單元,包括:
襯底,其包括頂面及作為地的底面;
第一焊盤,其設(shè)置于頂面,其與底面電氣連接;
半導(dǎo)體激光二極管,其陰極焊接于第一焊盤,其陽極金屬焊接面用于與正壓偏置電路的正極電氣連接。
還包括:
第三焊盤,其設(shè)置于頂面;
第四焊盤,其設(shè)置于頂面;
內(nèi)匹配電路,其設(shè)置于頂面,其包括與陽極金屬焊接面電氣連接的輸出端、與第三焊盤電氣連接的射頻輸入端和與第四焊盤電氣連接的供電輸入端;
其中,供電輸入端通過內(nèi)匹配電路向陽極金屬焊接面提供正壓。
所述內(nèi)匹配電路還包括:
第二焊盤,其設(shè)置于頂面;
第四金絲,其設(shè)置于頂面,其一端作為所述輸出端,其另一端與第二焊盤(31)電氣連接;
匹配電阻,其設(shè)置于頂面,其一端作為所述射頻輸入端;
匹配電感,其設(shè)置于頂面,其一端作為所述供電輸入端;
其中,匹配電阻、匹配電感的另一端分別與第二焊盤電氣連接。
所述匹配電阻的阻值范圍為30Ω~50Ω。
所述匹配電感的感值范圍為2nH~10nH。
所述匹配電阻的另一端通過設(shè)置于頂面的第一微帶線與第二焊盤電氣連接,所述匹配電感的另一端通過設(shè)置于頂面的第二微帶線與第二焊盤電氣連接,所述射頻輸入端通過設(shè)置于頂面的第三微帶線與第三焊盤電氣連接,所述供電輸入端通過設(shè)置于頂面的第四微帶線與第四焊盤電氣連接。
所述第四金絲的長度為0.2mm~0.8mm。
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