[實用新型]正壓偏置發光單元、同軸半導體激光器和光模塊

有效

• 申請號: 202020154886.6
• 申請日: 2020-02-07
• 公開（公告）號: CN211265964U
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 廖清華;何遲光;吳喜平;付敏;陳建國
• 申請（專利權）人: 珠海思開達技術有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/026
• 代理公司: 成都百川興盛知識產權代理有限公司 51297
• 代理人: 王云春;夏曉明

1.一種正壓偏置發光單元，其特征在于，包括：

襯底（30），其包括頂面及作為地的底面；

第一焊盤，其設置于頂面，其與底面電氣連接；

半導體激光二極管（32），其陰極焊接于第一焊盤，其陽極金屬焊接面（33）用于與正壓偏置電路的正極電氣連接。

2.根據權利要求1所述正壓偏置發光單元，其特征在于，還包括：

第三焊盤（35），其設置于頂面；

第四焊盤（36），其設置于頂面；

內匹配電路，其設置于頂面，其包括與陽極金屬焊接面（33）電氣連接的輸出端、與第三焊盤（35）電氣連接的射頻輸入端和與第四焊盤（36）電氣連接的供電輸入端；

其中，供電輸入端通過內匹配電路向陽極金屬焊接面（33）提供正壓。

3.根據權利要求2所述正壓偏置發光單元，其特征在于，所述內匹配電路還包括：

第二焊盤（31），其設置于頂面；

第四金絲（44），其設置于頂面，其一端作為所述輸出端，其另一端與第二焊盤（31）電氣連接；

匹配電阻（34），其設置于頂面，其一端作為所述射頻輸入端；

匹配電感（37），其設置于頂面，其一端作為所述供電輸入端；

其中，匹配電阻（34）、匹配電感（37）的另一端分別與第二焊盤（31）電氣連接。

4.根據權利要求3所述正壓偏置發光單元，其特征在于，所述匹配電阻（34）的阻值范圍為30Ω～50Ω。

5.根據權利要求3所述正壓偏置發光單元，其特征在于，所述匹配電感（37）的感值范圍為2nH～10nH。

6.根據權利要求3所述正壓偏置發光單元，其特征在于，所述匹配電阻（34）的另一端通過設置于頂面的第一微帶線與第二焊盤（31）電氣連接，所述匹配電感（37）的另一端通過設置于頂面的第二微帶線與第二焊盤（31）電氣連接，所述射頻輸入端通過設置于頂面的第三微帶線與第三焊盤（35）電氣連接，所述供電輸入端通過設置于頂面的第四微帶線與第四焊盤（36）電氣連接。

7.根據權利要求3所述正壓偏置發光單元，其特征在于，所述第四金絲（44）的長度為0.2mm～0.8mm。

8.一種同軸半導體激光器，其特征在于，包括：

金屬晶體管座（20）；

權利要求2-7任一項所述正壓偏置發光單元，其設置于金屬晶體管座（20）內，其襯底（30）的底面通過導電銀膠焊接于金屬晶體管座（20）的殼體；

第一引腳（21），其設置于金屬晶體管座（20），其通過第三金絲（43）與第四焊盤（36）電氣連接；

第二引腳（22），其設置于金屬晶體管座（20），其與金屬晶體管座（20）的殼體電氣連接；

第三引腳（23），其設置于金屬晶體管座（20），其通過第一金絲（40）與第三焊盤（35）電氣連接。

9.根據權利要求8所述同軸半導體激光器，其特征在于，還包括：

探測光電二極管（41），其設置于金屬晶體管座（20）內，其用于探測半導體激光二極管（32）光功率大小，其陽極與金屬晶體管座（20）殼體電氣連接；

第四引腳（24），其設置于金屬晶體管座（20），其通過第二金絲（42）與探測光電二極管（41）的陰極電氣連接。

10.一種光模塊，其特征在于，包括：

金屬安裝結構（56）；

印刷電路板（54），其安裝于金屬安裝結構（56）內；

權利要求9所述同軸半導體激光器（50），其固定于金屬安裝結構（56）；

檢測電路（55），其安裝于印刷電路板（54），其用于對同軸半導體激光器（50）的工作狀態進行實時監控并輸出所監控到的同軸半導體激光器（50）的工作狀態的信號；

射頻連接器（53），其固定于金屬安裝結構（56），其通過印刷電路板（54）上的微帶線與同軸半導體激光器（50）的第三引腳（23）電氣連接；

控制電路（51），其安裝于印刷電路板（54），其用于將同軸半導體激光器（50）的輸出光功率實時控制在設定的范圍內；

正壓電源電路（52），其安裝于印刷電路板（54），其用于通過控制電路（51）給同軸半導體激光器（50）的第一引腳（21）提供正偏置電壓，其用于給控制電路（51）、檢測電路（55）供電。