[實用新型]一種半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020143788.2
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN211350691U
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧超;林素慧;王慶;洪靈愿
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括：半導(dǎo)體發(fā)光序列，半導(dǎo)體發(fā)光序列由下至上包括：第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；透明絕緣層，其接觸所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的一部分區(qū)域表面，并且包含在其厚度方向上貫通的第一孔，所述透明絕緣層為透明材質(zhì)；透明導(dǎo)電層，其覆蓋在所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的其他區(qū)域表面，并且連續(xù)至覆蓋所述透明絕緣層的上表面的一部分為止；一DBR絕緣層，位于透明絕緣層的第一孔內(nèi)，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔內(nèi)的至少部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層表面；第二電極打線部，底面完整覆蓋所述的透明絕緣層的第一孔，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔的周圍的上表面以及覆蓋透明絕緣層的上表面的至少部分透明導(dǎo)電層。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種難以發(fā)生元件自身的接通不良的半導(dǎo)體發(fā)光元件以及使用該半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體發(fā)光元件具有在n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間包含發(fā)光層的層疊，通過從n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層注入到發(fā)光層的電子與空穴結(jié)合而發(fā)光。因此，如何將由發(fā)光層所產(chǎn)生的光有效地向外導(dǎo)出，成為影響作為發(fā)光元件的性能的關(guān)鍵。

已知具有如下構(gòu)造的半導(dǎo)體發(fā)光元件，該構(gòu)造包含：n型半導(dǎo)體層；N側(cè)第一電極，包括打線部，其設(shè)置于n型半導(dǎo)體層上的一部分上；發(fā)光層；p型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于發(fā)光層上；透明絕緣層，其設(shè)置于p型半導(dǎo)體層上的一部分上；透明導(dǎo)電層，其覆蓋p型半導(dǎo)體層的露出面與透明絕緣層；以及p側(cè)第二電極，第二電極包括打線部，其設(shè)置于夾著透光性電極層而與透明絕緣層對向的位置。

n側(cè)第一電極與p側(cè)第二電極的打線部為了在n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間施加電壓，分別通過打線接合連接或凸塊連接而與外部電路連接。通過透明絕緣層，可以抑制p側(cè)打線部的正下方的發(fā)光，并且通過利用透明絕緣層與金屬電極反射性表面組合形成ODR結(jié)構(gòu)而使自發(fā)光層射向p側(cè)打線部的光向發(fā)光面(第二電極以外的P型半導(dǎo)體層區(qū)域)側(cè)反射后自發(fā)光面射出，可以獲得較高的發(fā)光輸出。

然而現(xiàn)有的金屬電極常采用鋁這種反射性金屬，在使用過程中，該金屬容易發(fā)生遷移導(dǎo)致電極失效，電極可靠性降低。但是如果取消該反射性金屬鋁，第二電極打線部的反射率會大大降低。因此如何提升第二電極打線部的反射率以及可靠性是影響作為發(fā)光元件的性能的關(guān)鍵。

實用新型內(nèi)容

為了提升電極打線部的反射性以及可靠性，本實用新型提供如下一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括：半導(dǎo)體發(fā)光序列，半導(dǎo)體發(fā)光序列由下至上包括：第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；

透明絕緣層，其接觸所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的一部分區(qū)域表面，并且包含在其厚度方向上貫通的第一孔，所述透明絕緣層為透明材質(zhì)；

透明導(dǎo)電層，其覆蓋在所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的其他區(qū)域表面，并且連續(xù)至覆蓋所述透明絕緣層的上表面的一部分為止；

一DBR絕緣層，位于透明絕緣層的第一孔內(nèi)，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔內(nèi)的至少部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層表面；

第二電極打線部，底面完整覆蓋所述的透明絕緣層的第一孔，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔的周圍的上表面以及覆蓋透明絕緣層的上表面的至少部分透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，DBR絕緣層，位于透明絕緣層的所述第一孔內(nèi)，并且覆蓋透明絕緣層的所述第一孔內(nèi)的部分第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層表面，第二電極打線部，底面同時覆蓋所述透明絕緣層的所述第一孔內(nèi)的其余第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層表面。

優(yōu)選地，所述的DBR絕緣層為一塊或多塊。

優(yōu)選地，所述的DBR絕緣層為折射率相對高的第一絕緣材料和折射率相對低的第二絕緣材料各至少一層或重復(fù)堆疊成多層。

優(yōu)選地，所述的DBR絕緣層的總厚度為600nm以上。

優(yōu)選地，所述透明絕緣層的第一孔的開口水平寬度為所述第二電極打線部的底面水平寬度的80％以下。