[實用新型]一種半導體發光元件

有效

• 申請號: 202020143788.2
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN211350691U
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 盧超;林素慧;王慶;洪靈愿
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發光元件，其包括：半導體發光序列，半導體發光序列由下至上包括：第一導電性半導體層、發光層和第二導電性半導體層；

透明絕緣層，其接觸所述第二導電性半導體層上的一部分區域表面，并且包含在其厚度方向上貫通的第一孔；

透明導電層，其覆蓋在所述第二導電性半導體層的其他區域表面，并且連續至覆蓋所述透明絕緣層的上表面的一部分為止；

其特征在于：還包括：

一DBR絕緣層，位于透明絕緣層的第一孔內，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔內的至少部分第二導電性半導體層表面；

第二電極打線部，底面覆蓋所述的透明絕緣層的第一孔，并且覆蓋所述透明絕緣層的第一孔的周圍的上表面，以及覆蓋透明絕緣層的上表面的至少部分透明導電層的上表面。

2.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述DBR絕緣層，位于透明絕緣層的所述第一孔內，并且覆蓋透明絕緣層的所述第一孔內的部分第二導電性半導體層表面；所述第二電極打線部，底面同時覆蓋所述透明絕緣層的所述第一孔內的其余第二導電性半導體層表面。

3.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的DBR絕緣層為一塊或多塊。

4.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的DBR絕緣層為折射率相對高的第一絕緣材料和折射率相對低的第二絕緣材料各至少一層或重復堆疊成多層。

5.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的DBR絕緣層的總厚度為600nm以上。

6.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述透明絕緣層的第一孔的開口水平寬度為所述第二電極打線部的底面水平寬度的80％以下。

7.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述DBR絕緣層高于所述透明絕緣層的厚度。

8.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的DBR絕緣層與第二導電性半導體層之間具有所述透明絕緣層。

9.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：第二電極還包括擴展條，擴展條位于透明導電層上。

10.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：相對于透明絕緣層的最臨近第二導電性半導體層的底面，所述的透明絕緣層的側壁，具有傾斜角，傾斜角的范圍為30~70度。

11.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：相對于DBR絕緣層的最臨近第二導電性半導體層的底面，所述的DBR絕緣層的側壁具有傾斜角，傾斜角的范圍為20~80度。

12.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的半導體發光元件為氮化物半導體發光元件。