[實用新型]槽式濕法刻蝕裝置有效
| 申請號: | 202020142317.X | 申請日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN211879337U | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 丁齊齊 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;高德志 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濕法 刻蝕 裝置 | ||
一種槽式濕法刻蝕裝置包括:工藝槽,至少一個酸液供應罐,連接管道,其中,所述工藝槽的位置低于酸液供應罐的位置,所述酸液供應罐通過連接管道與所述工藝槽連通,所述連接管道至少包括連接的橫向管道和縱向管道,所述橫向管道的入口端與所述酸液供應罐連接,所述縱向管道的出口端與所述工藝槽連接,所述酸液供應罐用于存儲酸液以及將存儲的酸液通過連接管道供應到工藝槽中,所述工藝槽用于將所述酸液供應罐供應的酸液稀釋或者將供應的多種酸液混合,以進行刻蝕工藝;還包括,氣壓保持管,所述氣壓保持管與橫向管道連通,用于保持橫向管道內的氣壓與外部氣壓平衡。本實用新型槽式濕法刻蝕裝置保證每次換酸后酸的濃度能保持穩定。
技術領域
本實用新型涉及半導體領域,尤其涉及一種槽式濕法刻蝕裝置。
背景技術
刻蝕工藝是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋的薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的工藝。刻蝕工藝不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。
目前,最主要的刻蝕方法有兩種:濕法刻蝕和干法等離子刻蝕。在濕法刻蝕中,刻蝕劑是液態化學混合物,它與晶圓襯底發生化學反應,產生可溶性物質,從而溶解于溶液中,例如,用含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜,用磷酸刻蝕鋁薄膜等。槽式濕法刻蝕設備作為濕法刻蝕工藝的主要設備,通常將晶圓放置于槽式刻蝕設備的酸槽或工藝槽中,利用酸槽或工藝槽的刻蝕溶液或酸液浸沒晶圓一段特定的時間,便可刻蝕去除晶圓上不需要的材料層。
現有通常通過專門的酸液供應裝置向酸槽或工藝槽供應酸液,以在酸槽或工藝槽中形成稀釋的氫氟酸為例,通過一酸液供應罐將一定體積的未稀釋的氫氟酸(比如摩爾濃度為49%的氫氟酸)供入酸槽或工藝槽,同時通過一純水供應裝置將一定體積的純水供入酸槽或工藝槽,兩者混合,在酸槽或工藝槽形成稀釋的氫氟酸。
但是前述在酸槽或工藝槽形成稀釋的氫氟酸的方式,容易使得形成的氫氟酸的濃度偏低或偏高,不利于刻蝕工藝的進行,并且為了消除濃度報警費時費力。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是怎樣提高晶圓翹曲度監測的準確性。
本實用新型提供了一種槽式濕法刻蝕裝置,包括:工藝槽,至少一個酸液供應罐,連接管道,其中,所述工藝槽的位置低于酸液供應罐的位置,所述酸液供應罐通過連接管道與所述工藝槽連通,所述連接管道至少包括連接的橫向管道和縱向管道,所述橫向管道的入口端與所述酸液供應罐連接,所述縱向管道的出口端與所述工藝槽連接,所述酸液供應罐用于存儲酸液以及將存儲的酸液通過連接管道供應到工藝槽中,所述工藝槽用于將所述酸液供應罐供應的酸液稀釋或者將供應的多種酸液混合,以進行刻蝕工藝;
還包括,氣壓保持管,所述氣壓保持管與橫向管道連通,用于保持橫向管道內的氣壓與外部氣壓平衡。
可選的,所述氣壓保持管包括第一端和第二端,所述氣壓保持管的第一端與橫向管道連通,所述氣壓保持管的第二端與外界空氣連通。
可選的,所述氣壓保持管的第一端與橫向管道的上部管壁連通,所述氣壓保持管的第二端的位置高于橫向管道的位置。
可選的,所述氣壓保持管的材料以及管徑尺寸與橫向管道的材料以及管徑尺寸相同。
可選的,所述氣壓保持管的第二端口的開口方向與橫向管道中酸液的流動方向的夾角大于90度。
可選的,所述氣壓保持管的第二端口的開口方向與橫向管道中酸液的流動方向的夾角為135度。
可選的,所述橫向管道包括入口端和出口端,所述縱向管道包括入口端和出口端,所述橫向管道的入口端與酸液供應罐連接,所述橫向管道的出口端與縱向管道的入口端連接,所述橫向管道從入口端向出口端的方向向上傾斜,所述濕法刻蝕裝置還包括支撐部件,所述支撐部件與所述橫向管道接觸,通過支撐部件減小橫向管道向上傾斜的角度,使得所述橫向管道保持水平。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





