[實用新型]一種固定晶圓用靜電吸盤有效
| 申請號: | 202020126023.8 | 申請日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN211629057U | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 廖海濤;呂軍 | 申請(專利權)人: | 無錫市邑勉微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 常州唯思百得知識產權代理事務所(普通合伙) 32325 | 代理人: | 金輝 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 固定 晶圓用 靜電 吸盤 | ||
本實用新型涉及一種固定晶圓用靜電吸盤,具有晶圓固定單元,晶圓固定單元包括底盤以及設置在底盤下端的電容盤,底盤和電容盤通過輔助安裝單元進行定位安裝,電容盤內設有冷卻通道,用于對其進行冷卻,電容盤的下端面固定連接有位移單元,位移單元的輸出可貫穿晶圓固定單元帶動晶圓升降。輔助安裝單元包括底盤上設置的兩個凹槽和電容盤上設置的2個凸起,凹槽與凸起位置相對應設置,且凹槽與凸起互補設置。本實用新型的目的是克服現有技術存在的缺陷,提供一種便于安裝,且冷卻效果好的固定晶圓用的靜電吸盤。
技術領域
本實用新型涉及靜電吸盤領域,尤其是一種固定晶圓用靜電吸盤。
背景技術
刻蝕技術是半導體加工工藝中最為常見的一道工序,它是按照掩膜圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術,在晶圓刻蝕的加工工序中,通常采用靜電吸盤用于固定和支撐晶圓,以避免刻蝕過程中,由于晶圓靜電吸盤其由多層單元組成,層與層之間安裝有方向區別,而現有的晶圓靜電吸盤在安裝的過程中沒有輔助安裝裝置,從而導致其安裝時需要先辨別安裝方向是否正確;此外現有靜電吸盤的冷卻效果不佳,不僅影響設備自身的使用壽命,還會影響到晶圓刻蝕的效果。
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術存在的缺陷,提供一種便于安裝,且冷卻效果好的固定晶圓用的靜電吸盤。
實現本實用新型目的的技術方案是:一種固定晶圓用靜電吸盤,具有晶圓固定單元;所述晶圓固定單元包括底盤以及設置在底盤下端的電容盤;所述底盤和電容盤通過輔助安裝單元進行定位安裝;所述電容盤內設有冷卻通道,用于對其進行冷卻;所述電容盤的下端面固定連接有位移單元;所述位移單元的輸出可貫穿晶圓固定單元帶動晶圓升降。
進一步地,所述輔助安裝單元包括底盤上設置的兩個凹槽和電容盤上設置的2個凸起;所述凹槽與凸起位置相對應設置,且凹槽與凸起互補設置。
進一步地,兩個所述凹槽的大小和/或形狀不同。
進一步地,所述底盤的中央設有放置臺;所述放置臺上設置有貫穿底盤的小孔洞和大孔洞;所述大孔洞的數量為4,小孔洞數量為多個;所述大孔洞包括上部分和下部分,上部分和下部分連通。
進一步地,所述大孔洞的上部分孔徑<大孔洞的下部分孔徑,且在下部分孔徑對應的孔洞垂直方向上設有通道;所述大孔洞下部分孔徑對應的孔洞與通道連通。
進一步地,所述底盤的下端面上還設置有第一凹槽以及與該第一凹槽連通的U形孔;所述U形孔貫穿底盤。
進一步地,所述電容盤上設置有貫穿盤體的安裝孔和第一連接孔;所述安裝孔有4個,其位置與底盤上設置的大孔洞位置相對應;所述電容盤的上端面設置有環形槽;所述環形槽徑向延伸方向上設有輔助槽;所述輔助槽與環形槽連通。
進一步地,所述電容盤下端面還設有冷卻水進口和冷卻水出口;所述冷卻通道由冷卻水進口處經內周延伸至外周,再延伸至內周至冷卻水出口處。
進一步地,所述電容盤下端面還設置有背氦連接孔;所述背氦連接孔設置在一條直徑上;所述背氦連接孔包括第二連接孔和第三連接孔。
進一步地,所述位移單元包括密封隔離波紋管裝置和升降裝置;所述升降裝置通過連接器與密封隔離波紋管裝置連接;所述密封隔離波紋管裝置的輸出軸穿過安裝孔。
采用上述技術方案后,本實用新型具有以下積極的效果:
(1)本實用新型中的輔助安裝單元為凹槽和凸起,其中開設在底盤下端面上的凹槽有2個,且大小和/或形狀不同;又因為凹槽與凸起位置相對應,且互補設置,因為底盤與電容盤之間安裝有方向,所以在安裝底盤和電容盤時,根據兩個凹槽的大小或者形狀不同,即可進行快速安裝,提高安裝效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





