[實用新型]一種固定晶圓用靜電吸盤有效
| 申請號: | 202020126023.8 | 申請日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN211629057U | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 廖海濤;呂軍 | 申請(專利權)人: | 無錫市邑勉微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 常州唯思百得知識產權代理事務所(普通合伙) 32325 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 固定 晶圓用 靜電 吸盤 | ||
1.一種固定晶圓用靜電吸盤,具有晶圓固定單元(10);其特征在于:所述晶圓固定單元(10)包括底盤(1)以及設置在底盤(1)下端的電容盤(2);所述底盤(1)和電容盤(2)通過輔助安裝單元進行定位安裝;所述電容盤(2)內設有冷卻通道(28),用于對其進行冷卻;所述電容盤(2)的下端面固定連接有位移單元(30);所述位移單元(30)的輸出可貫穿晶圓固定單元(10)帶動晶圓升降。
2.根據權利要求1所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述輔助安裝單元包括底盤(1)上設置的兩個凹槽(12)和電容盤(2)上設置的2個凸起(22);所述凹槽(12)與凸起(22)位置相對應設置,且凹槽(12)與凸起(22)互補設置。
3.根據權利要求2所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:兩個所述凹槽(12)的大小和/或形狀不同。
4.根據權利要求1所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述底盤(1)的中央設有放置臺(11);所述放置臺(11)上設置有貫穿底盤(1)的小孔洞(110)和大孔洞(111);所述大孔洞(111)的數量為4,小孔洞(110)數量為多個;所述大孔洞(111)包括上部分和下部分,上部分和下部分連通。
5.根據權利要求4所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述大孔洞(111)的上部分孔徑<大孔洞(111)的下部分孔徑,且在下部分孔徑對應的孔洞垂直方向上設有通道(112);所述大孔洞(111)下部分孔徑對應的孔洞與通道(112)連通。
6.根據權利要求1或5所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述底盤(1)的下端面上還設置有第一凹槽(113)以及與該第一凹槽(113)連通的U形孔(114);所述U形孔(114)貫穿底盤(1)。
7.根據權利要求1所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述電容盤(2)上設置有貫穿盤體的安裝孔(21)和第一連接孔(00);所述安裝孔(21)有4個,其位置與底盤(1)上設置的大孔洞(111)位置相對應;所述電容盤(2)的上端面設置有環形槽(24);所述環形槽(24)徑向延伸方向上設有輔助槽(25);所述輔助槽(25)與環形槽(24)連通。
8.根據權利要求1或7所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述電容盤(2)下端面還設有冷卻水進口(26)和冷卻水出口(27);所述冷卻通道(28)由冷卻水進口(26)處經內周延伸至外周,再延伸至內周至冷卻水出口(27)處。
9.根據權利要求1所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述電容盤(2)下端面還設置有背氦連接孔;所述背氦連接孔設置在一條直徑上;所述背氦連接孔包括第二連接孔(01)和第三連接孔(02)。
10.根據權利要求8所述的一種固定晶圓用靜電吸盤,其特征在于:所述位移單元(30)包括密封隔離波紋管裝置(31)和升降裝置(32);所述升降裝置(32)通過連接器(33)與密封隔離波紋管裝置(31)連接;所述密封隔離波紋管裝置(31)的輸出軸穿過安裝孔(21)。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





