[實用新型]半導體芯片的裂片裝置

有效

• 申請號: 202020032206.3
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN211605104U
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 趙裕興;陳晨
• 申請（專利權）人: 蘇州德龍激光股份有限公司;江陰德力激光設備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/78
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 王玉國

本實用新型涉及半導體芯片的裂片裝置，包含：下劈刀，支撐芯片底部；真空吸附載臺，其上安裝真空環；上劈刀組，有上劈左刀和上劈右刀；影像系統，作為基準面調整上下劈刀垂直方向平行度；X軸向直線平移裝置，驅動影像系統沿X軸向左右移動；Y?θ軸運動裝置，載臺安裝于其上；短行程平移裝置，調整上劈左刀與上劈右刀之間的張開間距；Z軸向運動裝置，調整上劈左刀和上劈右刀的上下劈裂位置；下劈刀位于真空吸附載臺行程中間位置的下方，上劈左刀和上劈右刀位于真空吸附載臺行程中間位置的正上方，并安裝于短行程平移裝置上，短行程平移裝置安裝于Z軸向運動裝置上。使半導體芯片裂開，芯片表面不需要進行覆膜保護，裂片過程中無面接觸。

技術領域

本實用新型涉及一種半導體芯片的裂片裝置。

背景技術

目前，無論是從科技還是經濟的角度看，半導體的重要性都是非常巨大且難以替代的，政府對產業的扶持態度也十分堅定。2018年中國集成電路產業銷售額6532億元，同比增長20.7％，我國半導體產業持續走高，迎來新一輪發展機遇。

隨著我國經濟發展方式的轉變、產業結構的加快調整，工業化和信息化的深度融合，加上政府大力推進本地的信息消費，預估到2025年，中國半導體未來的市場需求將持續以每年6％的復合成長率增長，中國半導體市場占全球的份額將從2018年的50％增加到2025年的56％。

激光劃片技術在砷化鎵和碳化硅等半導體材料中的運用越來越成熟，激光劃片后道工藝裂片技術也至關重要，對應表面存在橋結構和電路凸起的芯片，單一的裂片方式已無法滿足要求。

傳統的裂片原理是采用下雙側承臺，上劈刀的方式。此種方式為提升崩邊良率一般會將芯片面朝承臺放置，為防止芯片污染，會在表面覆蓋一層麥拉膜進行保護，以承臺面進行支撐，劈刀從背面進行劈裂，從而達到芯片分離的效果；對于有橋結構、電路凸起或表面潔凈度要求比較高的芯片就沒用辦法使用此種結構。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服現有技術存在的不足，提供一種半導體芯片的裂片裝置。

本實用新型的目的通過以下技術方案來實現：

半導體芯片的裂片裝置，特點是：包含：

一下劈刀，用于支撐芯片底部；

一真空吸附載臺，其上安裝真空環，用于拉緊、固定及調整芯片；

一上劈刀組，有上劈左刀和上劈右刀，用于裂片；

一影像系統，用于作為基準面調整上下劈刀垂直方向平行度以及觀測芯片；

一X軸向直線平移裝置，用于驅動影像系統沿X軸向左右移動；

一Y-θ軸運動裝置，載臺安裝于其上，可驅動載臺及其上的真空環沿 Y軸向前后移動和θ軸旋轉運動，用于芯片移動裂片；

一短行程平移裝置，上劈左刀和上劈右刀安裝于其上，調整上劈左刀與上劈右刀之間的張開間距；

一Z軸向運動裝置，短行程平移裝置安裝于其上，調整上劈左刀和上劈右刀的上下劈裂位置；

所述下劈刀位于真空吸附載臺行程中間位置的下方，上劈左刀和上劈右刀位于真空吸附載臺行程中間位置的正上方，上劈左刀和上劈右刀安裝于短行程平移裝置上，短行程平移裝置安裝于Z軸向運動裝置上，影像系統位于真空吸附載臺行程中間位置正上方并高于上劈左刀和上劈右刀。

進一步地，上述的半導體芯片的裂片裝置，其中，影像系統與下劈刀處于同一直線上。

進一步地，上述的半導體芯片的裂片裝置，其中，下劈刀的刀尖比真空環高0.5mm～1mm。

進一步地，上述的半導體芯片的裂片裝置，其中，下劈刀為70度V 形刀，材質是鎢鋼或白鋼；或者為50度半面劈刀。