[實用新型]一種CVD碳化硅進氣系統

有效

• 申請號: 202020014529.X
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN211713197U
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 白秋云
• 申請（專利權）人: 成都超純應用材料有限責任公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/32
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 潘育敏

本實用新型涉及CVD碳化硅生產技術領域，尤其是一種CVD碳化硅進氣系統，包括反應腔和混氣罐，所述混氣罐一側固定連通有三個供氣管，所述混氣罐另一側固定連通有進氣管，所述反應腔一側設置有真空泵，所述反應腔上還固定連通有出氣管，所述反應腔外側壁上呈周向均勻地固定連接有若干個固定機構，若干個所述固定機構上固定連接有通氣管道，且所述通氣管道纏繞在所述反應腔外側壁上，所述進氣管與所述通氣管道之間相互連通，所述通氣管道內側呈周向均勻地固定連通有三個進氣口，且三個所述進氣口均分別與所述反應腔相連通。該CVD碳化硅進氣系統通過多孔進氣的方式，從而能夠有效地解決了工件表面cvd沉積厚度不均勻的問題，實用性強。

技術領域

本實用新型涉及CVD碳化硅生產技術領域，尤其涉及一種CVD碳化硅進氣系統。

背景技術

傳統的cvd碳化硅生產工藝復雜，進氣端由氫氣、氬氣、以及MTS三種氣源同時進入混合罐混合好之后再進入反應腔體開始反應，生成sic；傳統的進氣系統即將三路氣體經混氣罐混合均勻后通過一個入口通入反應腔進行反應，但經過長期的生產發現，該通氣方法存在很大弊端，即cvd碳化硅沉積厚度從進氣端到出氣端呈現一定的梯度變化，該變化的產生是由于反應氣體在反應腔體中邊流動邊反應，越靠近排氣端，反應氣體濃度越低，這嚴重影響工件表面碳化硅沉積厚度的均勻性。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的現有的碳化硅進氣系統會造成工件表面碳化硅沉積厚度不均勻的缺點，而提出的一種CVD碳化硅進氣系統。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

設計一種CVD碳化硅進氣系統，包括反應腔和混氣罐，所述混氣罐一側固定連通有三個供氣管，所述混氣罐另一側固定連通有進氣管，所述反應腔一側設置有真空泵，所述反應腔上還固定連通有出氣管，所述反應腔外側壁上呈周向均勻地固定連接有若干個固定機構，若干個所述固定機構上固定連接有通氣管道，且所述通氣管道纏繞在所述反應腔外側壁上，所述進氣管與所述通氣管道之間相互連通，所述通氣管道內側呈周向均勻地固定連通有三個進氣口，且三個所述進氣口均分別與所述反應腔相連通。

優選的，所述固定機構包括安裝塊，所述安裝塊固定連接在所述反應腔的外側壁上，所述安裝塊一端固定連接有下夾板，所述下夾板一端固定連接有第一緊固板，所述下夾板上端鉸接有上夾板，且所述上夾板和所述下夾板之間為相對設置，所述上夾板一端固定連接有第二緊固板，且所述第一緊固板和所述第二緊固板之間通過螺栓固定連接在一起，所述通氣管道設置在所述下夾板和所述上夾板之間。

優選的，所述下夾板和所述上夾板的內表面上均分別粘接有保護層。

優選的，所述下夾板和所述上夾板均為弧形結構件。

本實用新型提出的一種CVD碳化硅進氣系統，有益效果在于：該CVD碳化硅進氣系統的進氣端由氫氣、氬氣、以及MTS三種氣源分別通過三個供氣管進入到混氣罐中進行混合，三路氣體經混氣罐混合均勻后，混合氣體會通過進氣管進入到通氣管道中，接著，混合氣體會通過通氣管道上的三個進氣口進入到反應腔中開始進行反應，從而能夠使得混合氣體可以均勻地分散到反應腔中，能夠使得混合氣體在反應腔內部的濃度較為地均勻，進而能夠有效地避免工件表面cvd碳化硅沉積厚度不均勻的問題。因此，本設計通過采用多孔進氣的方式，通過在反應腔外部纏繞通氣管道，將進氣分為幾個入口通氣，分別在反應腔的前端，中端及尾端通氣，從而能夠有效地解決了工件表面cvd沉積厚度不均勻的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型提出的一種CVD碳化硅進氣系統的結構示意圖。

圖2為圖1中的部分結構俯視圖。

圖3為圖1和圖2中的固定機構的結構示意圖。