[實(shí)用新型]一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020014529.X | 申請(qǐng)日: | 2020-01-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN211713197U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白秋云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都超純應(yīng)用材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/32 |
| 代理公司: | 成都睿道專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cvd 碳化硅 系統(tǒng) | ||
1.一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng),包括反應(yīng)腔(1)和混氣罐(3),所述混氣罐(3)一側(cè)固定連通有三個(gè)供氣管(2),所述混氣罐(3)另一側(cè)固定連通有進(jìn)氣管(4),所述反應(yīng)腔(1)一側(cè)設(shè)置有真空泵(8),所述反應(yīng)腔(1)上還固定連通有出氣管(6),其特征在于,所述反應(yīng)腔(1)外側(cè)壁上呈周向均勻地固定連接有若干個(gè)固定機(jī)構(gòu)(5),若干個(gè)所述固定機(jī)構(gòu)(5)上固定連接有通氣管道(7),且所述通氣管道(7)纏繞在所述反應(yīng)腔(1)外側(cè)壁上,所述進(jìn)氣管(4)與所述通氣管道(7)之間相互連通,所述通氣管道(7)內(nèi)側(cè)呈周向均勻地固定連通有三個(gè)進(jìn)氣口(9),且三個(gè)所述進(jìn)氣口(9)均分別與所述反應(yīng)腔(1)相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng),其特征在于,所述固定機(jī)構(gòu)(5)包括安裝塊(10),所述安裝塊(10)固定連接在所述反應(yīng)腔(1)的外側(cè)壁上,所述安裝塊(10)一端固定連接有下夾板(11),所述下夾板(11)一端固定連接有第一緊固板(12),所述下夾板(11)上端鉸接有上夾板(15),且所述上夾板(15)和所述下夾板(11)之間為相對(duì)設(shè)置,所述上夾板(15)一端固定連接有第二緊固板(13),且所述第一緊固板(12)和所述第二緊固板(13)之間通過(guò)螺栓固定連接在一起,所述通氣管道(7)設(shè)置在所述下夾板(11)和所述上夾板(15)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng),其特征在于,所述下夾板(11)和所述上夾板(15)的內(nèi)表面上均分別粘接有保護(hù)層(14)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng),其特征在于,所述下夾板(11)和所述上夾板(15)均為弧形結(jié)構(gòu)件。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





