[實(shí)用新型]一種粒子減隔振一體化系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020005424.8
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號(hào): CN211624067U
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖望強(qiáng);吉利;林昌明
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門振為科技有限公司
• 主分類號(hào): F16F15/02
• 分類號(hào): F16F15/02;F16F7/01;F04B53/00;B23Q11/00;H02K5/24;G06F30/17
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 薛晨光

本實(shí)用新型公開一種粒子減隔振一體化系統(tǒng)，用于提升振動(dòng)設(shè)備與隔振面的隔振效果，包括振動(dòng)設(shè)備的設(shè)備本體；粒子阻尼器，設(shè)置在設(shè)備本體上，粒子阻尼器內(nèi)部充有阻尼粒子，以將設(shè)備本體的低頻振動(dòng)轉(zhuǎn)化為高頻的粒子運(yùn)動(dòng)；隔振器，設(shè)置在設(shè)備本體和隔振面之間，粒子阻尼器內(nèi)部的阻尼粒子進(jìn)行高頻的粒子運(yùn)動(dòng)，提高了粒子阻尼器和隔振器組成的系統(tǒng)的整體的振動(dòng)頻率，增大了隔振器的上部激勵(lì)頻率，可有效提高隔振器的隔振效果；同時(shí)粒子阻尼器還能夠吸收一部分振動(dòng)能量，進(jìn)一步增強(qiáng)了減隔振效果。這種設(shè)計(jì)比單獨(dú)使用粒子阻尼器進(jìn)行減隔振或單獨(dú)使用隔振器進(jìn)行減隔振的效果更好。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及減隔振技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種粒子減隔振一體化系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在各種機(jī)械設(shè)備的運(yùn)行過程中，振動(dòng)是必然會(huì)產(chǎn)生的一種現(xiàn)象，通常來講，機(jī)械設(shè)備運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)中，有很大一部分是有害的，因此對機(jī)械設(shè)備的減隔振處理便顯得尤為重要。

目前的常用減隔振方法中，一種是使用設(shè)置在機(jī)械設(shè)備上的阻尼耗能元件，這種方式的所采用的阻尼耗能元件往往占據(jù)空間和質(zhì)量較大，使用效果較差；另一種是通過在機(jī)械設(shè)備與隔振面之間設(shè)置隔振器的方式來進(jìn)行減隔振處理，而這種方式又存在固有頻率低，線位移過大等不足。

因此，目前急需一種新的減隔振方案以解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種粒子減隔振一體化系統(tǒng)，用于提升振動(dòng)設(shè)備與隔振面的隔振效果，包括所述振動(dòng)設(shè)備的設(shè)備本體；粒子阻尼器，設(shè)置在所述設(shè)備本體上，所述粒子阻尼器內(nèi)部充有阻尼粒子，以將所述設(shè)備本體的低頻振動(dòng)轉(zhuǎn)化為高頻的粒子運(yùn)動(dòng)；隔振器，設(shè)置在所述設(shè)備本體和所述隔振面之間。

采用粒子阻尼器和隔振器相結(jié)合的方式來對粒子減隔振一體化系統(tǒng)進(jìn)行減隔振處理，粒子阻尼器內(nèi)部的阻尼粒子進(jìn)行高頻的粒子運(yùn)動(dòng)，提高了粒子阻尼器和隔振器組成的系統(tǒng)的整體的振動(dòng)頻率，增大了隔振器的上部激勵(lì)頻率，可有效提高隔振器的隔振效果；同時(shí)粒子阻尼器還能夠吸收一部分振動(dòng)能量，進(jìn)一步增強(qiáng)了減隔振效果。這種設(shè)計(jì)能夠達(dá)到比單獨(dú)使用粒子阻尼器進(jìn)行減隔振或單獨(dú)使用隔振器進(jìn)行減隔振更好的效果。

可選地，還包括安裝結(jié)構(gòu)，所述安裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述設(shè)備本體與所述隔振器之間或所述安裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述隔振器與所述隔振面之間；所述振動(dòng)設(shè)備為泵、機(jī)床、動(dòng)力設(shè)備或電機(jī)。

可選地，所述粒子阻尼器設(shè)置在所述安裝結(jié)構(gòu)的前10階非剛體模態(tài)位置、所述設(shè)備本體的前10階非剛體模態(tài)位置、所述設(shè)備本體的振動(dòng)較大位置和/或振動(dòng)關(guān)鍵傳遞路徑上。

可選地，所述阻尼粒子的粒子數(shù)密度a為0.1～0.99，所述阻尼粒子的粒徑d為0.01～10mm，且采用不同級(jí)配；所述阻尼粒子采用恢復(fù)系數(shù)e為0.1～0.9的金屬、合金或非金屬材料；所述粒子阻尼器的殼體材料為金屬或非金屬，所述殼體的外形為圓柱、多邊形棱柱、柔性包袋、多邊形棱錐、圓臺(tái)、法蘭狀、卡箍狀或不規(guī)則形狀，所述殼體的壁厚為0.01～20mm。

可選地，所述粒子阻尼器的質(zhì)量n為所述設(shè)備本體與所述粒子阻尼器的質(zhì)量總和m的0.01％～1000％。

可選地，安裝粒子阻尼器后所述隔振器的上部激勵(lì)頻率fi滿足以下公式：

式中：

f_i為安裝粒子阻尼器后所述隔振器的上部激勵(lì)頻率；

為平均碰撞頻率；

b為常數(shù)，取值范圍為0＜b≤10⁹；

π為圓周率；

A_j為所述粒子阻尼器安裝位置的振動(dòng)幅值；

d為所述阻尼粒子的粒子粒徑；