[實用新型]半導體封裝防磁結構

有效

• 申請號: 202020004724.4
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN212277193U
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 姜穎宏;林煜能;陳政宏
• 申請（專利權）人: 福懋科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L25/18;H01L23/31
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 董科

1.一種半導體封裝防磁結構，其特征在于，包含:

基板，具有上表面和下表面，所述基板具有多個貫穿所述上表面及所述下表面的電連接結構以及在所述上表面及所述下表面之間具有窗口；

第一芯片，具有主動面及背面，所述第一芯片的所述主動面朝下設置在所述基板的所述上表面上，且所述第一芯片的部分所述主動面暴露于所述窗口且部分所述主動面與所述電連接結構電性連接；

第一導線，通過暴露于所述窗口的部分將所述第一芯片的所述主動面與所述基板的所述下表面電性連接；

膠層，設置于所述第一芯片的所述背面上；

第二芯片，設置在所述膠層上，藉由所述膠層使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上；

金屬薄膜，設置于所述第二芯片上；

第二導線，分別電性連接所述金屬薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上；以及

封裝結構，用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二導線、所述金屬薄膜、在所述窗口內的所述第一導線及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。

2.如權利要求1所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述第二芯片的尺寸可以大于、小于或是等于所述第一芯片的尺寸。

3.如權利要求1所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述第一芯片為功能芯片以及所述第二芯片為半導體裸片。

4.如權利要求1所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述半導體裸片為硅芯片。

5.如權利要求1所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述基板的所述下表面上還具有多個電性連接結構。

6.如權利要求5所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述電性連接結構為錫球或是晶圓凸塊。

7.一種半導體封裝防磁結構，其特征在于，包括:

基板，具有上表面和下表面，所述基板具有多個貫穿所述上表面及所述下表面的電連接結構；

第一芯片，具有主動面和背面，且于所述主動面上具有多個焊墊及所述第一芯片的所述背面朝向所述基板的所述上表面設置；

第一導線，分別電性連接所述第一芯片的所述主動面的所述焊墊及所述基板的所述上表面；

膠層，設置在所述第一芯片的所述主動面上且包覆所述第一導線；

第二芯片，設置在所述膠層上；

金屬薄膜，設置在所述第二芯片上；

第二導線，電性連接所述金屬薄膜的上表面及所述基板的所述上表面；以及

封裝結構，設置在所述基板的所述上表面以包覆所述基板的部分所述上表面、所述金屬薄膜及所述第二導線。

8.如權利要求7所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述第二芯片的尺寸可以大于、小于或是等于所述第一芯片的尺寸。

9.如權利要求7所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述第一芯片為功能芯片以及所述第二芯片為半導體裸片。

10.如權利要求7所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述半導體裸片為硅芯片。

11.如權利要求7所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述基板的所述下表面上還具有多個電性連接結構。

12.如權利要求11所述的半導體封裝防磁結構，其特征在于，所述電性連接結構為錫球或是晶圓凸塊。