[實用新型]半導體封裝防磁結構有效
| 申請號: | 202020004724.4 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN212277193U | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發明(設計)人: | 姜穎宏;林煜能;陳政宏 | 申請(專利權)人: | 福懋科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 中國臺灣云林縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 防磁 結構 | ||
一種半導體封裝防磁結構,其特征在于,包含:基板、第一芯片、第一導線、膠層、第二芯片、金屬薄膜與第二導線,其中基板具有上表面和下表面以及多個貫穿上表面及下表面的電連接結構,同時在上表面及下表面之間具有一個窗口。第一芯片設有主動面及背面,主動面朝下設置在基板的上表面上,同時第一芯片的部分主動面暴露于窗口中,暴露于窗口的部分主動面與基板的電連接結構電性連接,同時第一導線通過暴露于窗口的部分將主動面與基板的下表面電性連接。接著,膠層設置于第一芯片的背面上,然后第二芯片設置在膠層上,藉由膠層使第二芯片固定在第一芯片的背面上。金屬薄膜設置于第二芯片上,以及第二導線同時電性連接金屬薄膜的上表面及基板的上表面上。
技術領域
本實用新型是關于一種半導體封裝結構,特別是關于一種半導體封裝防磁結構。
背景技術
小尺寸的集成電路封裝單元一般是以成批方式建構于單一個矩陣式基底上;此矩陣式基底是預先定義出多個封裝區域,其中每一個封裝區域即用以建構一個封裝單元。于完成封裝膠體制程之后,接著即可進行一分割程序(singulation process),用以將矩陣式基底上所建構的封裝單元總合結構體分割成個別的封裝單元。以此種方式制造的封裝單元例如包括薄型球柵數組式(Thin Fine Ball Grid Array, TFBGA)封裝單元、四邊形平面無導腳式(Quad Flat No-lead, QFN)封裝單元等等。
電磁干擾是一種電磁現象,一些電器、電子設備工作時所產生的電磁波,容易對周圍的其他電氣、電子設備形成電磁干擾,引發故障或者影響信號的傳輸。而且,過度的電磁干擾會形成電磁污染,危害周遭人們的身體健康。隨著設備與結構的演進,要達到能夠正常工作而不會相互發生電磁干擾造成性能改變和設備損壞的這種相互兼容的狀態越來越難。為了使整體達到電磁兼容,必須以整體的電磁環境為依據,要求每個用電設備不產生超過一定限度的電磁發射,同時又要求用電設備本身要具備一定的抗干擾能力。只有對每一個用電設備都作出這兩個方面的約束和改進,才能保證整體達到完全兼容。
實用新型內容
為克服上述集成電路封裝單元受到電磁干擾的問題,現提供一種半導體封裝防磁結構。
具體技術方案如下:
一種半導體封裝防磁結構,包含:
基板,具有上表面和下表面,所述基板具有多個貫穿所述上表面及所述下表面的電連接結構以及在所述上表面及所述下表面之間具有窗口;
第一芯片,具有主動面及背面,所述第一芯片的所述主動面朝下設置在所述基板的所述上表面上,且所述第一芯片的部分所述主動面暴露于所述窗口且部分所述主動面與所述電連接結構電性連接;
第一導線,通過暴露于所述窗口的部分將所述第一芯片的所述主動面與所述基板的所述下表面電性連接;
膠層,設置于所述第一芯片的所述背面上;
第二芯片,設置在所述膠層上,藉由所述膠層使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上;
金屬薄膜,設置于所述第二芯片上;
第二導線,分別電性連接所述金屬薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上;以及
封裝結構,用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二導線、所述金屬薄膜、在所述窗口內的所述第一導線及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。
另一種半導體封裝防磁結構,包含:
基板,具有上表面和下表面,所述基板具有多個貫穿所述上表面及所述下表面的電連接結構;
第一芯片,具有主動面和背面,且于所述主動面上具有多個焊墊及所述第一芯片的所述背面朝向所述基板的所述上表面設置;
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