[發明專利]跨導參數的測試電路、測試方法和測試系統

在審

• 申請號: 202011644513.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112834892A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 胡江;耿霄雄;鐘鋒浩
• 申請（專利權）人: 杭州長川科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 安衛靜

本發明提供了一種跨導參數的測試電路、測試方法和測試系統，包括：電壓源的第一端與待測壓控器件的第一極連接，電壓源的第二端接地；電流源的第一端和待測壓控器件的第二極連接，電流源的第二端接地；積分單元分別與待測壓控器件的第二極、第三極連接，且積分單元在第二極和第三極之間可形成負反饋；差分測量單元分別與待測壓控器件的第二極、第三極連接，用于檢測待測壓控器件第二極和第三極之間的電壓。本發明的測試電路中，待測壓控器件的第二極和第三極之間連接有積分單元，該積分單元可形成負反饋，能夠提高跨導參數測試的安全性，另外，積分單元的設置可對跨導參數測試中的第三極電壓波形進行調試，具有很高的易用性。

技術領域

本發明涉及半導體測試的技術領域，尤其是涉及一種跨導參數的測試電路、測試方法和測試系統。

背景技術

跨導(用Gfs標識)是電子元器件的一項屬性，指的是輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值，對于壓控型大功率器件，如金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，簡稱MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)等的封裝測試來說，由于跨導表征了被測器件的放大屬性，是硬件設計中需要參考的重要參數，因此也是十分重要的測試參數。

以增強型N溝道大功率MOSFET封裝測試時所測試的跨導參數為例，其測試要求為：在被測器件的D極和S極之間施加給定電壓V_ds和電流I_ds，測量此時被測器件的G極和S極之間的電壓V_gs。通過調節不同的I_ds，獲得不同的V_gs，計算出其差值ΔI_ds和ΔV_gs，則被測器件跨導可以由以下公式得出：其對應的原理圖如圖1所示。圖1所示的跨導參數的測試電路中，包含有被測器件、D極電壓源、S極電流源、共地電壓測量單元四部分組成，其測量原理為，被測器件G極接地，電壓源施加測試所需電壓V_ds，電流源保證測試電流為I_ds，共地電壓測量單元測出S極對地電壓。

上述測試電路中，由于G極直接接地，與S極沒有直接聯系。當異常發生時(例如，電流源反饋的回路斷路)，S極電壓產生變化并不會反饋到G極，很容易導致GS壓差過大，嚴重時被測器件完全導通，在電壓源和電流源的共同作用下，會產生大電流震蕩，導致被測器件甚至測試設備損壞，所以安全性較差；另外，被測器件G極直接接地，這樣就無法對G極的電壓波形進行調試，GS電壓建立速度完全取決于電流源。對于測試設備來說，其電流源需要測量的參數遠不止跨導一項，如果完全只靠電流源來進行跨導參數的V_gs波形調試會十分不方便，也很難做到和其它參數的兼顧，所以使用不靈活。

綜上，現有的跨導參數的測試電路存在安全性較差、使用不靈活的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種跨導參數的測試電路、測試方法和測試系統，以緩解現有的跨導參數的測試電路安全性較差、使用不靈活的技術問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種跨導參數的測試電路，包括：電壓源、電流源、積分單元和差分測量單元；

所述電壓源的第一端與待測壓控器件的第一極連接，所述電壓源的第二端接地；

所述電流源的第一端和所述待測壓控器件的第二極連接，所述電流源的第二端接地；

所述積分單元分別與所述待測壓控器件的第二極、第三極連接，且所述積分單元在所述第二極和所述第三極之間可形成負反饋；

所述差分測量單元分別與所述待測壓控器件的第二極、第三極連接，用于檢測所述待測壓控器件第二極和第三極之間的電壓；