[發明專利]一種有序多孔鈷硫修飾電極及其制備方法與應用

在審

• 申請號: 202011644032.7
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112834586A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 奚亞男;胡淑錦
• 申請（專利權）人: 廣州鈺芯智能科技研究院有限公司
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N27/48
• 代理公司: 廣州幫專高智知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44674
• 代理人: 陸茵

1.一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、電極前處理：將電極基底置入丙酮中浸泡并超聲清洗，用去離子水清洗干燥后進行酸洗，再用去離子水清洗干燥；

S2、聚苯乙烯模板的制備：采用電鍍方法制備聚苯乙烯模板；

S3、多孔鈷硫修飾電極的制備：以所述聚苯乙烯模板為基底，采用電沉積法修飾鈷硫合金，再去除聚苯乙烯小球后得到有序多孔鈷硫修飾電極。

2.根據權利要求1所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述前處理方法具體為：將所述電極基底置入丙酮中浸泡，然后超聲清洗30min，用去離子水清洗干燥；再放入4mol/L鹽酸中進行酸洗，持續10min，用去離子水清洗干燥備用。

3.根據權利要求1所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述電鍍方法具體為：將前處理后的電極基底置入聚苯乙烯小球鍍液中并作為負極，采用鉑片作為正極，電鍍溫度為25℃，電鍍電壓為6V，電鍍時間為300s。

4.根據權利要求1所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述電沉積方法具體為：將修飾有聚苯乙烯的電極基底置入鈷硫鍍液中并作為負極，采用鉑片作為正極，設定電沉積溫度為25～45℃，電沉積時間為270～330s，電流密度為6.0～8.0ASD，轉子攪拌速度為500～700r/min。

5.根據權利要求4所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述電沉積方法優選為：設定電沉積溫度為25℃，電沉積時間為300s，電流密度為6.0ASD，轉子攪拌速度為500r/min。

6.根據權利要求4所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述鈷硫鍍液具體組成為：硫酸鈷300g/L，硼酸40g/L，氯化鈉20g/L，硫脲50g/L。

7.根據權利要求1所述的一種有序多孔鈷硫修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述去除聚苯乙烯小球的方法具體為：將修飾有鈷硫合金的電極置入裝有氯仿溶液的燒杯中，用封口膜進行密封，放置120min后取出，用去離子水清洗后干燥。

8.一種如權利要求1所述的有序多孔鈷硫修飾電極，其特征在于，所述有序多孔鈷硫修飾電極可用于電化學傳感器。

9.一種如權利要求1所述的有序多孔鈷硫修飾電極，其特征在于，所述有序多孔鈷硫修飾電極可用于電池和電容器。