[發明專利]一種單晶爐漏硅后快速引流裝置

在審

• 申請號: 202011641329.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112626610A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 馬騰飛;汪奇;龍昭欽;宋麗平
• 申請（專利權）人: 四川晶科能源有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉曉菲

本發明公開一種單晶爐漏硅后快速引流裝置，包括豎直通道、溢流槽和上蓋，豎直通道的頂端與單晶爐爐底連通，豎直通道的底端與溢流槽連通，上蓋安裝于溢流槽上端面，且溢流槽內為真空腔。本申請公開的單晶爐漏硅后快速引流裝置，在單晶爐爐底外圍安裝溢流槽，排氣管道接豎直通道，豎直通道下面接溢流槽，溢流槽與整個爐體連接，當發生漏硅現象時，豎直通道將硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽內，不與通有冷卻水的不銹鋼接觸，保證了硅熔液不融穿不銹鋼爐底，避免冷卻水泄漏瞬間汽化導致的鍋爐內部壓力迅速增加出現鍋爐爆炸的情況，且可從上蓋處打開溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再繼續安裝使用。

技術領域

本發明涉及光伏制造技術領域，特別涉及一種單晶爐漏硅后快速引流裝置。

背景技術

在直拉法單晶中，會存在漏硅等異常事故的發生，緩慢的漏硅，能及時發現并處理，損失不大；嚴重的漏硅，由于突發，硅液迅速流到爐內，與通有冷水的不銹鋼鍋爐底部接觸，嚴重融穿通有冷卻水的不銹鋼爐底，導致冷卻水瞬間氣化，由于爐內密閉空間，產生的氣體不能外泄，可能造成爆炸，造成巨大事故發生。

因此，如何避免出現漏硅導致的硅溶液融穿鍋爐爐底的情況，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種單晶爐漏硅后快速引流裝置，將漏硅流出的硅溶液引流至真空空腔，使硅熔液不聚集到通有冷卻水的單晶爐內，降低了爆炸風險。

為解決上述技術問題，本發明提供一種單晶爐漏硅后快速引流裝置，包括豎直通道、溢流槽和上蓋，所述豎直通道的頂端與單晶爐爐底連通，所述豎直通道的底端與所述溢流槽連通，所述上蓋安裝于所述溢流槽上端面，且所述溢流槽內為真空腔。

優選地，所述豎直通道為單層不銹鋼管道。

優選地，所述豎直通道的厚度為3～5mm。

優選地，所述豎直通道內設置有石墨套筒。

優選地，所述溢流槽為單層不銹鋼立方體槽。

優選地，所述溢流槽的厚度為3～5mm。

優選地，所述溢流槽內設置有石墨板或氧化鋁式溢流棉層。

優選地，所述上蓋與所述溢流槽連接處設置有密封墊圈。

本發明所提供的單晶爐漏硅后快速引流裝置，包括豎直通道、溢流槽和上蓋，豎直通道的頂端與單晶爐爐底連通，豎直通道的底端與溢流槽連通，上蓋安裝于溢流槽上端面，且溢流槽內為真空腔。本申請公開的單晶爐漏硅后快速引流裝置，在單晶爐爐底外圍安裝溢流槽，每個排氣管道接一個豎直通道，單晶爐共有兩個排氣管道，每個豎直通道下面接一個溢流槽，共兩個溢流槽，溢流槽與整個爐體連接，溢流槽內為真空環境，不影響單晶爐的真空，當發生漏硅現象時，豎直通道將硅溶液引流至溢流槽，使漏硅后的硅熔液快速流入溢流槽內，并不與通有冷卻水的不銹鋼接觸，保證了硅熔液不融穿不銹鋼爐底，避免冷卻水瞬間汽化導致的鍋爐內部壓力迅速增加出現鍋爐爆炸的情況，溢流槽存儲的硅溶液經過一段時間冷卻，可從上蓋處打開溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再繼續安裝使用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明所提供的一種具體實施方式的整體結構示意圖。

其中，圖1中：

豎直通道—1，溢流槽—2，上蓋—3，石墨套筒—4。

具體實施方式